芯片测试报告

PN7013-2芯片测试报告---2012-12-15---孙国栋1．测试信息芯片名称：PN7013-2对比芯片名称：IRS2113芯片特点描述：1.PN7013-2：电容采用积累方案，拉灌电流指标为2A，pad顺序与IRS2113相同，封装形式：16leadDIP2.IRS2113：目标芯片，封装形式：14leadDIP。测试目的：1.从误关断角度考核PN7013-2的抗dv/dt能力。2.与目标芯片做对比。测试结论：1.母线电压分别为50V，75V，100V时两款芯片测试现象一致均为误开启。2.两款芯片均在母线电压为110V时发生了误关断此时PN7013-2dv/dt约为16V/ns，IRS2113约为12V/ns。测试结果：ParameterPN7013-2IRS2113母线电压（V）dv/dt（V/ns）是否误关断dv/dt（V/ns）是否误关断501.3否2.4否756.2否6.5否10010.05否8.4否11016是12是2．目录插入下面具体测试内容的目录3．具体测试内容3.1PN7013-2测试测试波形对比：50VPN7013-2IRS2113黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO75VPN7013-2IRS2113黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO100VPN7013-2IRS2113黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO110VPN7013-2IRS2113黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO误关断前——母线电压为100V误关断后——母线电压为110VPN7013-2PN7013-2黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。资料精选，适合职场人士使用借鉴参考。