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富達通科技(FDT)(無線充電器方案無線充電器方案無線充電器方案無線充電器方案)代理商:增你強股份有限公司提供完整設計線路I-PHONE最新版1-寬度僅7mm,裝在IPHONE4上不管上緣或下緣都不會凸出手機面2-30PIN接頭強化焊接固定,反覆插拔都不會從PCB上脫落.3-可以穩定輸出5V-1A4-效率達70%(以上)5-附MICROUSB接頭,沒充電時可以連接電腦連線充電.IPHONE機構&成品NTTDoCoMo無線介面充電式智慧型手機GETPOWERPADGETPOWERPAD已上市產品電動牙刷AirVolt無線充電器已上市產品HP平板電腦LG手機無線充電器無線供電裝置的市場規模2010年為1億2390萬美元，但2011年將激增至7倍以上的8億8580萬美元（圖1）。之後也會順利增長，預計「2015年將產生237億美元規模的巨大市場」（IHSiSuppli）。RFIDPOWERRFIDPOWERSPCE•FDT(富達通科技)•5W(1A)---SMARTPHONE•10W(2A)---I-PAD/平板電腦•40W---電動工具機等•100W—規劃中•無線充電器主要用途:需要充電兼防水功能需要充電兼防水功能需要充電兼防水功能需要充電兼防水功能移動中又可充電移動中又可充電移動中又可充電移動中又可充電:如汽車內如汽車內如汽車內如汽車內無線供電方式因利用的原理不同而有數種方式圖1：眾多企業關注無線供電圖中按電力傳輸方式匯總了無線供電的開發動向。一般企業致力於電磁感應方式和磁場共振方式。無線供電方式因利用的原理不同可分為幾類圖1：眾多企業關注無線供電圖中按電力傳輸方式匯總了無線供電的開發動向。一般企業致力於電磁感應方式和磁場共振方式。FDT5WRXCircuitFDT20WTXCircuit首推業界最高功率40W無線充電套件•無線供電控制ICα3＋β3，具備先進感應式電力系統控制技術，其中包含了自動功率調整、自動線圈諧振能量修正，以及目標物辨識與過壓保護等控制技術。更擁有目前業界最低待機消耗電流（低於1mA），以及接近80％的高電力轉換效率。•本套件中包含了用來發射電力的α3TXEVB，以及用來接收電力的β340WRXEVB，而在接收電路板的部份，所採用的是MonolithicPowerSystems(MPS)直流降壓器，讓搭配下的系統可以輸出到電壓12V、電流3.5A接近42W的功率輸出。此外，使用者也可依照個人需求而調整電壓，最高輸出電壓可以設定到20V。β340WRXEVB電路板用途:電動工具機&NB等可以輸出電壓12V、電流高達3.5A接近42W的功率幾個核心技術都已經包含在A3與B3的IC中1.自動目標識別2.自動諧振系統修正3.自動功率修正4.高效率資料碼傳送解析5.EMC解決方法汽車內無線充電器便利SmartPhone在車上充電汽車內無線充電器外觀設計應用RFID+PCM+NFCWPCVSFDT-1只需一個二極體與電阻電容就可以解析出資料碼,其中的搭配組合是FDT經過兩年的測試後的結果,有相當大的容錯能力.在成本方面遠低於需要OPAIC的濾波系統.需要同時解析線圈上的電壓與電流後比對分析訊號格式,其中利用OPA組成主動式低通濾波電路來解出資料訊號.檢測線圈電流另外需要一個線圈CST2-152L.解析電路大量使用之OPA.*看來TI真的很想多賣一些OPA訊號解析電路TX只需一個二極體與幾個電阻電容就可以分析電源電壓+線圈振盪電壓就可以穩定控制線圈諧振,α3內建非線性修正技術,在電源變動下都可以穩住線圈功率輸出.透過主電源電流+線圈振盪電壓+線圈電流多端分析後控制.其中使用大量的OPA與周邊零件完成電路.成本極高*對TI來說多用一些OPA是會增加業績的.諧振控制機制TX全橋式驅動電路P-MOSFET(上橋)+N-MOSFET(下橋組成)在低電源電壓下就可以達到高輸出功率.使用正反向MOSFET-DRIVER便宜容易購買.全橋之缺點是EMC雜訊較大,但FDT透過電路設計已解決.雙N-MOSFET驅動線圈,優點是容易控制EMC雜訊,缺點是需要較高的工作電壓,在功率需求變大後驅動能力會不足.另外需要專用的MOSFET,雙N用的DRIVER較貴.線圈驅動系統TX1.主電力=5V~20V都可操作2.控制系統電力用LDO(0.1A轉成5V使用3.VIN直接驅動主驅動電路使用4.有FUSE,即使在控制電路損毀後,一樣有過電流保護1.主電力VIN=19V2.控制系統電力用TPS54231切換式DC-DC(2A)降壓到3.3V給控制電路用3.VIN進入後經過INA214電流監控ic變成VINA給主驅動電路使用4.無FUSE發射電路電源系統TXFDTWPC項目WPCVSFDT-2採用橋式整流結構,更換高規格二極體就可以提高接收端的電流承載能力兩個二極體的全波整流?WPC規格書上應該是橋式整流,這個整流方式應該還要透過IC內的電路才能完成電流迴圈.整流器RX外掛一個N-MOSFET調製電路,導通的是直流訊號,在高功率系統中依然可以正常調製.利用IC內部開關導通接收線圈上的電容與電阻的通路,在高功率的系統中導通的電流會非常大,IC內部的開關會無法承受此電流.由於導通的是交流訊號,非單個MOSFET可以解決.回饋訊號調製電路RX接收線圈純為串聯諧振電容,功率需求變化靠TX端變頻控制,不易燒毀.接收線圈串聯+並聯電容,另外在功率需求增加時另外導通並聯電容來加大接收能量.並聯電容在低功率系統是可行的,但在高功率系統中,並聯電容本身為短路反應,很容易燒毀.2.並連電容後,接收線圈的訊號振幅會增加容易讓後端的整流器燒毀.接收線圈諧振電路RX偵測訊號長度只有2.5mS,金屬靠近後電流上升最多0.02A於60mS偵測用的PWM期間無保護能力,瞬間電流上升可能達到0.2A金屬靠近後反應TX每秒四次,所以RX靠近後最多需要等0.25S就會有反應每秒一次,所以RX靠近後最多需要等1S才會有反應偵測速度TX每秒送四次長度為2.5mS的PWM驅動訊號,在一秒內總輸出為1%.關閉PWM期間電路板消耗電流低於0.3mA在待機下5V-20V的平均消耗電流在1mA以下每秒送一次長度為60mS的PWM驅動訊號,在一秒內總輸出為6%.用以偵測是否有RX端靠近.在關閉PWM期間所有偵測用的OPA都還是繼續消耗電力.先前測試的結果為在19V下待機消耗17mA待機功率消耗控制TXWPCVSFDT-3不需同位檢查,在接收端20W輸出功率下依然可以正常編解碼.需要同位元檢查,功率提高後編碼解析會困難.資料編解碼與容錯.DATA編碼過程影響功率傳送輕微,可設計在需要高穩定電力需求的裝置,像IPHONE充電需要穩定的5V-1A輸出能力.編碼過程會影響功率傳送.只能設計在充電池的系統.資料編解碼與功率DATAFDT采專利之非對秤非固定長度之編解碼機制,送完8BIT資料最長只需4mS.距離20mm依然可清楚解析訊號.資料編解碼時基2KHz,即每0.5mS送一個Bit一個位元組資料+START+PARITY+STOP供要送11*0.5mS即5.5mS送完.距離拉開後就很難解析訊號.資料編解碼速度DATA~THANKS~