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几个方向:1.降功率，这是最简单的。由上图可知，谐波是来自于组件的非线性效应[1]，当然PA是最可能。同时也可看出，主频功率降了，其谐波功率也会跟着降。依照经验，主频功率降个0.5dBm，其二阶谐波大概就会差个2~3dBm，当然三阶的就降更多了。假设GSM850/EGSM900在PCL5的TargetPower为32.5dBm，可以调NV或DAC，降成32dBm试试。12.若是高通平台，可以调NV。下图是PA_Enable、ANT_SEL、V_ramp三条曲线。这三条曲线，对于谐波以及开关频谱，都会有影响，建议PA_Enable比V_ramp早开启，而且最好能早一段时间。而Ant_sel可以比PA_en早开启，也可以比PA_en晚开启，看怎样的NV值，其谐波以及开关频谱会最低[2]。23.检查DCBlock由第一点的图可知，DCOffset也是非线性效应之一，若流入PA跟ASM，会使其线性度下降。除非是PA跟ASM已有内建DCBlock，否则PA的input跟output，都要摆放DCBlock，检查一下是否有放。4.在PA输入端，就将谐波砍掉，避免因为PA的非线性效应，使其谐波更加恶化。但这要看PAinput的摆放零件，假设PAinput只放一个串联的DCBlock，那只能自己额外放一个落地电容来砍谐波。以GSM850为例，可以放一个5.6pF的落地电容[3-5]。由上图可以看到，对于二阶谐波，大概有5dB的insertionLoss，对于三阶谐波，大概有8dB的insertionLoss。3特别注意的是，在设计电容值时，不是谐波抑制能力越大越好，因为一般普通的COG电容，其频率响应，不会只砍到谐波，同时也会砍到主频。假设放10pF的落地电容，可以看到二阶谐波，大概有16dB的insertionLoss。三阶谐波，大概有22dB的insertionLoss。但主频也被砍了5dB。另外落地电容会使阻抗偏掉，如下图[6]:换句话说，会有MismatchLoss，在这情况下，10pF的落地电容，其insertionLoss跟MismatchLoss加一加，可能会使主频的讯号过低，甚至低于PA输入范围的下限。同时我们也看到，虽然三阶谐波的抑制能力更好，但三阶谐波的频率，已座落在谐振频率的右边。换言之，此时是利用该落地电容的电感性去砍三阶谐波，如下图[3-5]:4把电容当电感用，某种程度上会有一些未知的风险，最好是极力避免。而前述的5.6pF落地电容，其二三阶谐波都座落在谐振频率的左边，同时主频只被砍了2dB，即便加上阻抗偏掉造成的MismatchLoss，原则上都还在PA输入范围内，况且砍一些主频的能量，跟方法1的降Power有相同意义，可以更降低PA的非线性效应。所以在设计落地电容时，可以砍主频，但不要砍太多，至少要确保加上MismatchLoss后，都还在PA输入范围内，同时最好确保其谐波频率，都座落在谐振频率的左边。55.承第4点，若PAinput摆放π型，那原则上只能串联DCBlock，然后再摆一颗落地电容。若同样以GSM850为例，那就是只摆一颗5.6pF的落地电容，另一个落地组件不上件。倘若另一个落地组件也上5.6pF，则主频会被砍过多能量，如下图:由上图可知，若摆放两个5.6pF的落地电容，主频会被砍5dB。前述已说过，不是谐波抑制能力越大越好，还要考虑到主频会不会衰减过大。66.若PAinput摆放T型，那就是DCBlock加L型低通滤波器，而其低通滤波器，建议用LC，不要用RC，因为绕线电阻具有很强的电感性，其寄生电感容易使系统不稳定，因此不可用于对频率敏感的应用中，例如RF走线[3-5]。7由上图可知，以5.6pF的落地电容来做比较，如绿色曲线，若采用(8.2nH+3.3pF)的低通滤波器，如蓝色曲线，其二阶谐波的抑制能力差不多，而三阶谐波的抑制能力多了3dB，但主频只衰减了0.6dB。若采用(12nH+4.7pF)的低通滤波器，如粉红曲线，其主频衰减量差不多，但二阶谐波的抑制能力多了5dB，三阶谐波的抑制能力多了9dB，这表示相较于单一颗落地电容，其LC低通滤波器的设计上可以较为弹性，同时效果更好。同样的主频衰减量，但谐波抑制能力更好，或是同样的谐波抑制能力，但主频衰减量更小。87.调校PA的Load-pull:由上图可知，不同的Load-pull，会有不同的谐波值。以上图为例，谐波最低处，是位于第四象限，因此可以将PA的Load-pull，调校在第四象限，但PA的Load-pull一但更动，其他发射端的性能也会跟着变动，所以前述的落地电容，或低通滤波器，设计在PA输入端，道理在此，因为怕动到PA的Load-pull。而若调校后的Load-pull，救了传导杂散，但其他测项Fail，那就得不偿失。而50奥姆的发射端性能，虽不是最好，但在输出功率、谐波、耗电流……等表现上，大致上还可以接受，所以一般都是调校在50奥姆。因此若真要调校，顶多是使其更接近50奥姆，除非万不得已，再来考虑是否要调校在谐波最低处，同时要确认其他的发射测项，是否会因此Fail。98.换PA如上图所示，一般PA的datasheet，会有谐波的量测值，因此可以换个pin-to-pin，但谐波较小的PA，但同第7点，如此一来，其他发射端的性能也会跟着变动，等于Load-pull要重调，发射端测项要重新测试，若新PA救了传导杂散，但其它测项Fail，那就得不偿失。况且现今平台，多半已使用MMPA，如下图[7]:亦即GSM/WCDMA/LTE的发射端性能，通通受影响，影响层面极大，因此除非真的解不掉，再来考虑这步。109.电源方面假设收发器或PA的电源，稳压不好，或有IRDrop，或其电源走线载有高频噪声，都会使发射端性能劣化，当然也包含传导杂散。因此可以先针对收发器跟PA，同时额外供电，倘若问题依旧，那原因就不是出在电源，若问题改善，那就看问题是出在PA的电源，还是收发器电源，一般是出在PA电源居多。稳压方面的话，就加大其电容值，因为电容值越大，其ESR越小，稳压效果越好[3-5]。而高频噪声的话，则是看电源走线附近，有无高速讯号走线，或RF走线。最常见到的情况是，ShieldingCover盖上去后，其传导杂散变大，而这来自PA的机会较大，如下图[8]:11因为PA的能量本来就很大，加上体积较大，离ShieldingCover更近，所以这表示PA耦合到ShieldingCover的能量同样很大，若ShieldingCover接地良好，原则上PA耦合到ShieldingCover的能量，会通通流到GND，但若ShieldingCover与ShieldingFrame的接触不够好，那么PA耦合到ShieldingCover的能量，有一部分会反射，若是打到PA电源，使PA电源上载有RF高频噪声，如下图[3-5]:那么此时传导杂散就会劣化。12此时可以做实验，去验证是否PA输出讯号打到上述走线，如下图[8]:记得要加DCBlock，避免电源的直流讯号，回灌到CMU跟PA，原则上这样的实验，其发射性能是一定会劣化，但要观察是否为ShieldingCover盖上去后的现象，倘若同样的现象完全复制出来，才可判定RootCause是PA输出讯号打到电源走线，例如ShieldingCover盖上去后，其传导杂散会Fail，但相位误差依然Pass，而上述实验却是传导杂散跟相位误差都Fail，那就不能证明是PA输出讯号打到电源走线。13而若证明出来，确实是ShieldingCover盖上去后，PA输出讯号打到电源走线，那么可透过加强ShieldingCover与ShieldingFrame的接触，以及加强ShieldingCover与Housing金属的接触，使其耦合到ShieldingCover上的发射讯号，通通流到GND。1410.Layout方面检查一下稳压电容跟bypass电容，是否离PA过远，若离过远，那么即便加大稳压电容的值，或是找出高频噪声的频率点，其稳压跟滤波的效果，也会不如预期，如下图[2]:而稳压电容需直接下到MainGND，便是避免已流到GND的瞬时电流，透过共同的GND，又再流入上述的IC中，尤其是PA稳压电容，绝不能与其他IC的稳压电容表层一起共地，否则全都会受瞬时电流影响，如下图[2]:15至于IRDrop，那就是在PA操作时，量一下电压，看跟预期的相差多少，若相差太多，那就是Layout改版时，电源走线要短一点，线宽宽一点，若是有穿层，记得Via要多打，如下图:由上图可知，若Via打太少，等同于穿层时的线宽很细，这会使IRDrop变大，而Via打越多，等同于穿层时的线宽越宽，这当然有助于IRDrop的缓和。1611.检查PA是否在架桥下前述提到，若作了第9点Coupler回灌PA输出的实验，但现象却与ShieldingCover盖上去的现象不一致，那就不能证明是PA输出讯号，打到上述走线。那么ShieldingCover盖上去后，其传导杂散劣化现象，可能是来自于ShieldingCover与PA内部BondWire的寄生效应，尤其是ShieldingFrame的架桥，因为相较于ShieldingCover，其架桥的高度又更小，当ShieldingCover盖上去后，会再更进一步压缩PA与架桥的距离。倘若PA刚好在架桥下方，那寄生效应会很大，其PA的特性可能会有所改变，导致发射性能劣化，若问题是来自寄生效应，那么就是ShieldingCover的高度，以及架桥的位置，要重新调整。再不然就是PA上方的ShieldingCover，直接破孔开天窗。所以Placement时，PA尽量不要在架桥跟ShieldingFrame的屋檐下方，避免寄生效应。17Reference[1]直流偏移对于手机零中频接收机之危害,百度文库[2]GSM之调制与开关频谱(ORFS)解析与调校大全,百度文库[3]上集_磁珠_电感_电阻_电容于噪声抑制上之剖析与探讨,百度文库[4]中集_磁珠_电感_电阻_电容于噪声抑制上之剖析与探讨,百度文库[5]下集_磁珠_电感_电阻_电容于噪声抑制上之剖析与探讨,百度文库[6]PassiveImpedanceMatching___实战大全,百度文库[7]SKY77607MultibandMultimodePowerAmplifierModuleforQuad-BandGSM/EDGEandDual-Band(BandIandVIII)WCDMA/HSDPA/HSUPA/HSPA+Handsets,SKYWORKS[8]屏蔽罩对零中频手机射频发射性能之影响,百度文库18