电子技术基础习题答案

中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平PublishingHouseofElectronicsIndustry北京BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。1.2半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流IFM、最大反向工作电压URM、最大反向电流IRM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、答：（1）N型锗材料普通二极管；（2）N型锗材料开关二极管；（3）N型硅材料整流二极管；（4）N型硅材料稳压二极管；2、答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。3、答：使用万用表的R×100Ω或R×1KΩ档测二极管的正反向电阻值，比较两次测量结果，其中电阻值小的那次测试中黑表笔所接被测二极管的引线为正极，红表笔所接被测二极管的引线为负极。若测量正向电阻时，表针指示在中间或中间偏右处，即为硅二极管；表针指示偏到接近0Ω处，即为锗二极管。若测量正反向电阻时，正向电阻和反向电阻均较小的二极管，其已短路损坏；正向电阻和反向电阻均很大的二极管，其已开路损坏。五、分析与计算1、解：a)V1导通UAB=-6V；b)V2截止UAB=-12V；c)V3导通UAB=8V；d）V4截止UAB=3V。2、解：⑴、因为UA=UB=0V，而UCC=6V，所以两个二极管VD1和VD2承受同样大正向电压，都处于导通状态，均可视为短路，输出端F的电位UF为：UF=UA=UB=0V电阻R中的电流为：mAKVRUUIFCCR23)06(两个二极管VD1和VD2中的电流为：mAmAIIIRDBDA122121⑵、因为UA=3V,UB=0V，而UCC=6V，所以两个二极管VD2承受正向电压最高，处于导通状态，均视为短路，输出端F的电位UF为：UF=UB=0V电阻R中的电流为：mAKVRUUIFCCR23)06(VD2导通后，VD1上加的是反向电压，因而截止，所以两个二极管VD1和VD2中的电流为：mAIDA0mAIIRDB2⑶、因为UA=UB=3V，而UCC=6V，所以两个二极管VD1和VD2承受同样大正向电压，都处于导通状态，均可视为短路，输出端F的电位UF为：UF=UA=UB=3V电阻R中的电流为：mAKVRUUIFCCR13)36(两个二极管VD1和VD2中的电流为：mAmAIIIRDBDA5.0121211.3稳压管一、填空题1、（稳压管、特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管、普通二极管的单向导电特性、工作于反向击穿状态)2、（截止、增大、击穿、基本不变）3、（减小或消失、增大、彻底击穿）4、(电路的稳压环直流电源电路、2CW、2DW)5、（反向击穿、击穿电压UZ、稳压作用）6、（稳定电压UZ、稳定电流IZ、最大稳定电流IZmax；）7、（面、硅晶体、反向击穿）二、判断题1、√2、×3、×4、√5、×三、选择题1、A；2、C1、C2；3、C；4、C；5、C6、B四、问答题1、答：⑴它是用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管，它的反向击穿特性曲线要比普通二极管陡，故它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。⑵在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变，实现稳压的特点。⑶其被反向击穿后，当外加电压减小或消失时，PN结能自动恢复而不至于损坏。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。1.4半导体三极管一、填空题1、（集电结；发射结；发射结；集电结）2、（NPN；PNP；）3、（放大，饱和，截止，放大，截止，饱和）4、（当三极管的集电极和发射极之间的电压UCE保持一定时，加在基极和发射极之间的电压UBE和基极电流IB之间的关系曲线）5、（增大，增大，增大）6、（当基极电流IB为常数时，三极管集电极电流与集电极和发射极之间的电压UCE之间的关系曲线。）7、（1.53mA，2.55mA，50倍）8、（0.5V,0.2V，0.7V，0.3V）9、（反向击穿电压U(BR)CEO,集电极最大允许电流ICM，集电极最大允许耗散功率PCM，UCMU(BR)CEO，ICICM，IC×UCE=≤PCM）10、（放大，开关）二、判断题1、×2、×3、×4、×5、×6、×7、√三、选择题1、B2、C3、B4、C5、C6、C7、C8、A9、C10、B四、问答题1、答：（1）PNP型锗材料低频小功率三极管；（2）PNP型锗材料高频小功率三极管；（3）NPN型硅材料低频大功率三极管；（4）NPN型硅材料高频大功率三极管。2、答：晶体三极管处于放大状态的内部条件是发射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度，基区做得很薄，集电结面积制作得比发射结面积大。外部条件是发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置。3、答：在选用三极管时，必须使三极管的电流放大系数、极间反向电流、反向击穿电压集电极最大允许电流、集电极最大允许耗散功率等主要参数满足实际工作条件的需要。4、答：晶体三极管的穿透电流就是集电极—发射极之间的反向穿透电流ICEO,是指三极管的基极开路时，其集电极与发射极之间反向漏电电流。三极管的穿透电流值越小越好，说明三极管的性能越好。ICEO和ICBO之间的关系如下ICEO=（1+β）ICBO。5、答：晶体三极管的主要功能是具有电流控制和放大作用。6、答：放大作用的实质是利用三极管的电流放大作用，给三极管加上适合的工作电压，使发射极正偏，集电极反偏，调节基极电流IB来控制集电极电流IC，即IC=βIB。7、答：晶体三极管具有电流放大作用是因为在三极管放大电路中，适当改变三极管发射极的正向偏置电压，使基极电流发生一微小变化△IB=IB2IB1，同时测得相应的集电极电流的变化△IC=IC2IC1，则三极管的交流电流放大倍数β为：β=△IC/△IB故β值的大小表示了三极管电流放大能力的强弱，。五、分析与计算1、解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。（1）观察图1.4-1，对应IB=60μA、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA；（2）观察图1.4-1，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80μA和大于70μA；（3）对应ΔIB=20μA、UCE=3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈1000/20≈50。2、解：⑴、工作条件是允许的。因为ICICM、UCEU(BR)CEO、IC×UCE=120mWPCM。⑵、工作条件是不允许。因为IC×UCE=200mWPCM。⑶、工作条件是不允许。因为IC不小于ICM、IC×UCE=390mWPCM。⑷、工作条件是不允许。因为IC×UCE=2000mW》PCM。1.5其他半导体器件一、填空题1、（电压控制、场效应原理工作、结型场效应管、绝缘栅型场效应管）2、（电压控制、栅源电压、大、小）3、（电能直接转换成光能、镓、砷、磷等元素的化合物、正向电压、光、光的颜色）4、（光敏二极管、光照、光线、自由电子和空穴、半导体中少数载流子）5、（普通二极管、开关二极管的开关时间、2CK、2AK）6、（半导体材料的光敏特性、反向接法）二、判断题1、√2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C2、C3、A4、A5、C四、问答题1、答：光电二极管正常使用时是应加反向电压。光电三极管工作时应满足发射结正偏，集电结反偏。PNP型光电三极管工作时，集电极发射极电位应满足UC＜UE；NPN型光电三极管工作时，集电极发射极电位应满足UC＞UE。2、答：场效应管是一种电压控制型器件，即用栅源电压来控制漏极电流，它具有输入阻抗高和低噪声的特点。表征场效应管性能的有转移特性曲线、输出特性曲线和跨导。它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类，每类又有P沟道和N沟道的区分。第2章基本放大电路2.1基本放大电路的组成一、填空题1、（微弱的电信号，较强的电信号、电压放大器、电流放大器、功率放大器、低频放大器、中频放大器、高频放大器）2、（共发射极放大器、共基极放大器、共集电极放大器、单级放大器、多级放大器、分立元件放大电路、集成放大电路）3、（发射结、集电结）4、（共发射极放大电路、输入回路、输出回路）5、（基极、发射极、集电极、发射极）二、判断题1、×2、×3、×4、√5、√6、√三、选择题1、B2、C3、A4、①C、②B、③B、④B、⑤C、⑥B四、问答题1、答：共发射极放大电路的特点是1、具有较高的放大倍数；2、输入和输出信号相位相反；3、输入电阻不高；4、输出电阻取决于Rc的数值。若要减小输出电阻，需要减小Rc的阻值，这将影响电路的放大倍数。2、答：共集电极放大电路的特点是⑴、电流放大系数大于1，而电压放大系数小于1，即共集电极放大电路有电流放大作用，而无电压放大作用；⑵、输入电压极性和输出电压极性相位相同；⑶、输入电阻大而输出电阻小。输入电阻大可使流过信号源电流小；输出电阻小，即带负载能力大。3、答：⑴、输入阻抗小，输出阻抗大；⑵、输入电压极性和输出电压极性相位相同；⑶、电压放大系数比较大，而电流放大系数小于1，即共基极放大电路有电压放大作用，而无电流放大的作用。4、答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。2.2共发射极放大电路的分析一、填空题1、（使放大电路工作在线性放大状态，避免产生失真）2、（IB、IC、UCE、工作在放大状态、输出波形、偏置；）3、（直流电源、电容器）4、（近似估算法、图解分析法）5、（)()(26)1(300mAImVrEQbe）（经验公式）。6、（三极管输入特性的非线性和发射结的单向导电性）7、（beCuorRA，beLCuLrRRA//）二、判断题1、√2、√3、√4、√5、×6、×7、√三、选择题1、B2、C3、A4、C5、B6、C7、A、C8、A、A、C、A四、问答题1、答：RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。2、答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。3、答：（a）图缺少基极分压电阻RB1，造成VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少RE、CE负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；（b）图缺少集电极电阻RC，无法起电压放大作用，同时少RE、CE负反馈环节；（c）图中C1、C2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少RE、CE负反馈环节；（d）图的管子是PNP型，而电路则是按NPN型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN型管子即可。4、答：当UCE