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ICS65.020.20B31备案号：15520-2004北京市地方标准DBDB11/T132—2004代替DB11/T132-2001保护地无公害西瓜生产技术规程NO-pollutedtechnologicalstandardsforcultivatingWatermelon2004-06-15发布2004-09-01实施北京市技术监督局发布DB11/T132—2004I目次前言.................................................................................II1范围................................................................................12规范性引用文件......................................................................13术语和定义..........................................................................14嫁接西瓜苗的培育....................................................................35自根西瓜苗的培育....................................................................66温室大棚西瓜生产....................................................................67西瓜的采收..........................................................................88病虫害防治..........................................................................8附录A（资料性附录）西瓜病害及其防治.................................................10附录B（资料性附录）西瓜虫害及其防治.................................................13附录C（规范性附录）无公害西瓜生产上禁用的农药.......................................15附录D（资料性附录）西瓜主要品种的特征特性...........................................15DB11/T132—2004II前言本标准代替DB11/T132-2001《保护地西瓜栽培技术综合标准》。本标准附录A、附录B、附录D为资料性附录，附录C为规范性附录。本标准由大兴区技术监督局提出并归口。本标准起草单位：北京市大兴区农业科学技术研究所、北京市大兴区技术监督局。本标准主要起草人：刘国栋、芦金生、路志学、刘彦全、白树川、马孝生。DB11/T132—20041保护地无公害西瓜生产技术规程1范围本标准规定了保护地无公害西瓜生产的基础条件、品种、育苗、生产管理、采收以及病虫害防治的要求。本标准适用于北京地区保护地（温室、大棚、中棚）春播无公害西瓜的栽培。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的昀新版本。凡是不注日期的引用文件，其昀新版本适用于本标准。GB4285农药安全使用标准GB4455农业用聚乙烯吹塑薄膜GB/T8321（所有部分）农药合理使用准则GB13735聚乙烯农用地面覆盖薄膜NY5110公害食品西瓜产地环境条件3术语和定义本标准采用下列术语和定义3.1种子纯度用于生产的西瓜种子的纯合性及其产生西瓜秧苗及果实的整齐一致性，用供试种子的秧苗及果实符合品种特征的比率表示。种子纯度（％）＝(供检种子粒数－异品种种子粒数)/供检种子粒数×100％3.2发芽率种子发芽终期（7d）正常发芽种子粒数占供试样品的百分率。发芽率高，表明有生命的种子多。种子发芽率（％）＝全部发芽种子粒数/供试验的种子粒数×100％3.3早熟品种在30d内，从雌花开放到果实成熟（需积温700℃～800℃左右）的品种，为早熟品种。3.4中熟品种在31d～35d从雌花开放到果实成熟（需积温800℃～900℃左右）的品种，为中熟品种。3.5晚熟品种在36d以上从雌花开放到果实成熟（积温在900℃～1000℃）的品种，为晚熟品种。3.6小型西瓜积小、单瓜重较轻的西瓜品种，一般单瓜重量小于或等于3kg的品种称为小型西瓜。DB11/T132—200423.7自根苗利用西瓜种子直接培育的瓜苗称为自根苗。3.8嫁接苗利用嫁接方法换根培育出的瓜苗称为嫁接苗。3.9嫁接将西瓜的一部分器官接到砧木的适当部位，使两者愈合成一个新的共生体的过程称之为嫁接。3.10接穗嫁接时位于上部被嫁接且不具有根系的植物器官称为接穗。3.11砧木嫁接时位于下部承受接穗并具有根系的植物称为砧木。3.12栽培密度每666.7m2定植的西瓜株数。3.13有效积温西瓜生长期间，保护地设施内部环境大于15℃的日平均温度之和。3.14定植水在定植时逐穴少量浇水，使土坨和土壤结合在一起。3.15伸蔓水在西瓜团棵后，为促进瓜蔓伸长浇的水。3.16膨瓜水在瓜座齐后，为促进幼瓜迅速膨大而浇的水。3.17整枝人工保留或去除瓜蔓的过程。3.18授粉花粉经外力落到雌花柱头的过程。3.19翻瓜在果实膨大期间，通过翻转西瓜果实角度，使果实受光均刀，色泽一致的管理。3.20垫瓜座瓜后，在果实下垫上隔热湿物的管理。3.21安全间隔期DB11/T132—20043昀后一次施药至西瓜收获时允许的间隔天数。[NY/T5111-2002，定义3.1]4嫁接西瓜苗的培育4.1砧木苗床建立4.1.1苗床建在保温、透光条件良好的温室内，并应具备以下条件：a)白天温度随出苗后苗龄不同可随时调整；b)夜间温度不低于15℃；c)棚膜透光良好，无破洞，夜间加盖草苫或保温被。4.1.2营养土的配制4.1.2.1土质比较肥沃的砂壤土。4.1.2.2草炭或腐熟的优质有机肥（不含鸡粪）。4.1.2.3土与草炭比例为3︰1，土与有机肥比例为5︰1。4.1.3苗床地面平整地面，铺设地热线，每平方米需地热线10m，地热线上覆土1cm～1.5cm。4.1.4营养钵码放要求4.1.3.1温室北侧留0.5m～1.0m人行道。4.1.3.2温室南侧留0.5m空间带，作为倒苗区。4.1.3.3每隔2m做一道高出营养钵10cm的田埂，便于管理。4.1.3.4将营养土装入直径8cm～10cm的营养钵中，并紧密码放在畦面上。4.2砧木准备4.2.1种子选择4.2.1.1砧木种子采用西瓜嫁接专用葫芦科植物种子。4.2.1.2种子纯度要求90%以上、种仁饱满、无植物检疫对象、有合格包装且是正规种子生产单位生产的种子。4.2.1.3种子发芽率85%以上，发芽势80%以上。4.2.2种子处理4.2.2.1晒种播前选晴天，把种子拿到户外晒2d～3d。4.2.2.2选种去掉瘪小、破损、虫蛀、发霉的种子，选留饱满无病籽种。4.2.2.3浸种催芽用30℃～35℃温水浸种24h～48h，浸种后搓洗去掉种壳表面上的粘液，洗净控干水分，用浸湿的纱布包好，在28℃～32℃环境下保湿催芽。4.2.3砧木播种4.2.3.1播种时期日光温室12月上旬～1月中旬，大棚1月中旬～2月下旬，中棚1月底～2月下旬。4.2.3.2播种准备播前一天浇透水。4.2.3.3播种要求选择胚根长0.5cm饱满正常的种子播种，播种时种子平放，胚根朝下，每个营养钵播一粒种子；播后覆细砂土1.5cm～2cm，覆土后盖地膜。4.3砧木苗期管理4.3.1出苗一般播后5d～6d出苗，出苗达到70%时，揭去地膜。DB11/T132—200444.3.2温度控制4.3.2.1播种至出苗温度控制在30℃～35℃；4.3.2.270%出苗至真叶展开时白天应降温至20℃～25℃，夜间15℃～18℃，防止出现高脚苗；4.3.2.3真叶生长期间白天温度控制在25℃～28℃，夜间温度控制在18℃～20℃。4.3.3水分调控保持土壤下层潮湿，表土干燥，育苗期内不出现缺水症状时尽可能不浇水，防止出现徒长苗。4.3.4光照与通风采取措施尽量增加光照，适当通风换气。4.3.5倒苗在育苗期通过移动营养钵倒苗，切断扎出营养钵的根系，促发新根，使秧苗整齐一致，有利于培育壮苗，有利于定植后缓苗。4.4接穗准备4.4.1种子选择4.4.1.1种子采用经种子管理部门审定后的，适合保护地种植的西瓜品种，参见附录D。4.4.1.2种子发芽率90％以上，纯度95％以上，净度99％，含水量低于8％（无籽瓜种子发芽率85％以上）。4.4.2种子处理4.4.2.1选种去掉瘪小、破损、虫蛀、发霉的种子，选留饱满无病籽种。4.4.2.2晒种播前选晴天，将种子在户外晒2d～3d。4.4.2.3药剂浸种可用50％多菌灵可湿性粉剂1000倍液，浸种2h。4.4.2.4浸种催芽普通西瓜用50℃～55℃温水浸种5h～6h，无籽西瓜用55℃～60℃温水浸种1.5h～2h，浸种后搓洗去掉种壳表面的粘液。洗净控干水分，用湿纱布包好，普通西瓜在25℃～30℃环境中保湿催芽，无籽西瓜嗑籽后在32℃～35℃环境中保湿催芽。4.4.3苗床准备4.4.3.1在温室栽培畦内铺设地热线。4.4.3.2将干净无菌无杂质的蛭石与草炭以1︰1的比例混合，4.4.3.3在栽培畦或育苗盘内铺8cm～10cm厚。4.4.4播种4.4.4.1播期采用顶插接和芯长接，一般应在砧木播种后第7d进行播种，靠插接法接穗提前4d～6d播种；4.4.4.2选种选择催芽后胚根长0.4cm～0.5cm的饱满种子进行播种；4.4.4.3播种要求每平方米播种2500粒～3000粒，播后覆土1cm～1.2cm，并盖膜保温，地膜应符合GB13735的规定。4.4.5接穗的苗期管理播种后覆盖地膜，以保持水分。4d～5d后出苗时揭去地膜，地膜应符合GB13735的规定。4.4.5.14.4.5.2白天温度控制4.4.5.2.1播种至出苗控制在30℃～35℃。DB11/T132—200454.4.5.2.2揭膜后温度控制在25℃～30℃。4.4.5.3夜间温度控制在15℃～20℃。4.4.5.4苗床基质相对含水量控制在70%～80%。4.5嫁接4.5.1嫁接方法4.5.1.1顶插接法用刀片削除砧木生长点，然后用粗度与接穗下胚轴相近的削成楔形的竹签在砧木刀口上斜面向下插深约1cm的孔，将剪成楔形的接穗插入砧木孔中，一株嫁接苗即接成。需注意接穗子叶方向应与砧木子叶呈十字状，以利于砧木子叶的光合作用，砧木苗以一叶一心为宜，接穗苗以子叶充分展开为宜。这种嫁接方式砧木应提前7d播种；4.5.1.2靠插接法在砧木下胚轴靠近子叶节1cm处，用刀片作45°角向下削一刀，深过胚轴的一半左右，长约1cm。然后在接穗的相应部位向上作45°角斜削一刀，深及胚轴的一半多，长度与砧木一致，将二者切口相互嵌入，用嫁接夹固定，将接穗根系埋入土壤中。这种嫁接方式接穗提前4d～6d播种。4.5.2嫁接技术要求4.5.2.1时期确定一般顶插接在砧木长出一片真叶，接穗子叶展开时进行。4.5.2.2嫁接要求嫁接时接穗削面要光滑平整，砧木与接穗要紧密接触。4.5.2.3嫁接方法靠插接在接穗成活后要及时去掉固定夹。4.6嫁接苗的苗期管理4.6.1湿度控制4.6.1.1嫁接后及时扣上2m拱棚，并加盖草苫，保湿避光。4.6.1.2嫁接后2d～3d内不通风，湿度保持在饱和状态。4.6.1.33d～4d后