电子复习材料

电子复习材料简答：1.组合逻辑电路的分析步骤：已知逻辑图→写逻辑式→运用逻辑代数化简或变换→列逻辑状态表→分析逻辑功能2.组合逻辑电路的综合步骤：已知逻辑要求→列逻辑状态表→写逻辑式→运用逻辑代数化简或变换→画逻辑图3负反馈对放大电路工作性能的影响：1）降低放大倍数2）提高放大倍数的稳定性3）改善波形失真4）展宽通频带5）对放大电路输入电阻的影响放大电路中引入串联负反馈后输入电阻rif增高，引入并联负反馈输入电阻rif减低6）对放大电路输出电阻的影响电压负反馈的放大电路具有稳定输出电压u0的作用，输出电阻r0很低；电流负反馈的放大电路具有稳定输出电流i0的作用，输出电阻r0较高4.射极输出器的组成、特点及主要应用：射极输出器的放大电路是从发射极输出共集电极接法；主要特点：电压放大倍数小于接近于1；输入电阻高；输出电阻低；输出电压与输入电压同相，具有跟随作用。主要应用：1）用作多级放大电路的输入级2）用作多级放大电路的输出级3）接在两级共发射极放大电路之间，可起到阻抗变换作用5.晶体管的主要参数：①电流放大系数β②集—基极反向截止电流ICBO③集—射极反向截止电流ICEO④集电极最大允许电流ICM⑤集—射极反向击穿电压U(BR)CEO⑥集电极最大允许耗散功率PCM6.直流稳压电源的组成及各部分作用：①整流变压器：将交流电源电压变换为符合整流需要的电压；②整流电路：将交流电压变换为单向脉动电压；③滤波器：减小整流电压的脉动程度，以适合负载的需要；④稳压环节：在交流电源电压波动或负载变动时，使直流输出电压稳定。7.数模（D/A）转换器的主要技术技术指标：1)分辨率2)精度3)线性度4)输出电压（或电流）的建立时间5)电压抑制比8.模数（A/D）转换器的主要技术指标：1)分辨率2)相对精度3)转换速度4)电源抑制9.晶体管具有放大作用的条件：①内部条件晶体管内部结构能实现电流放大，电流放大系数β取决于晶体管的结构，基区做得很薄，基区掺杂浓度；发射区的掺杂浓度最高，发射结的法面积小；集电区掺杂浓度介于二者之间②外部条件发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置10.晶闸管主要参数：①正向重复峰值电压UDRM(比正向转折电压UBO低100V)②反向重复峰值电压URRM(比反向转折电压│UBR│低100V)③正向平均电流IF(IF=Im/π)④维持电流IH书本考试重点：1.本征半导体（锗或硅等）掺入五价元素（磷等）为N型半导体，掺入三价元素（硼等）为P型半导体。在N型半导体中，自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子；在P型半导体或空穴半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好，温度对半导体器件性能的影响很大。2.空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷运动。自由电子和空穴都称为载流子。3.二极管有点接触型、面接触型和平面型三类。点接触型二极管不能通过较大电流，其高频性能好，适用于高频小功率的工作；面接触二极管可通过较大电流，其工作频率低，一般用作整流，适合于低频大功率的工作；平面二极管可用作大功率整流管和数字电路中的开关管。4.对于硅管：死区电压约为0.5V，导通电压约为0.6~0.8V，管压降取0.7V；对于锗管：死区电压约为0.1V，导通电压约为0.2~0.3V，管压降约为0.3V.5.稳压二极管利用二极管反向电击穿区电压有很小的变化、电流有很大的变化的特性，工作在反向电击穿区，工作时加反向电压。6.晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性，也有一段死区。只有在发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才会出现基极电流IB7.晶体管输出特性曲线的三个工作区：1）放大区IC=IB.发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，应使UBE＞0，UBC＜0。此时，UCE＞UBE.2）截止区当UBE＜0.5V即已开始截止，但是为了截止可靠，常使UBE≤0（发射结处于正向偏置），截止时集电结处于反向偏置（UBC＜0）。此时IC≈0,UCE≈UCC.发射极与集电极之间如同一个开关的断开3）饱和区当UCE＜UBE时，集电结处于正向偏置（UBC＞0），发射结也处于正向偏置（UBE＞0），此时UCE≈0V，IC≈UCC/RC，UBE＞UCE，发射极与集电极之间如同一个开关的接通。因此晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。8.晶体管的几个参数中，电流放大系数β、集—基极反向截止电流ICBO和集—射极反向截止电流ICEO是表明晶体管优劣的主要性能指标；集电极最大允许电流ICM、集—射极反向击穿电压U(BR)CEO和集电极最大允许耗散功率PCM用来说明晶体管的使用极限。如果工作中的实际值超过U(BR)CEO、PCM时，晶体管会烧坏；实际基极电流IC超过ICM，晶体管不会烧坏，但是β会降低。9.发光二极管外加正向电压，光电二极管外加反向电压。10.放大电路的三个主要性能指标：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。11.静态是放大电路在直流下的工作状态，动态是放大电路在交流下的工作状态。12.非线性失真原因：由于静态工作点不合适或者信号太大使放大电路的工作范围超出了晶体管特性曲线上的线性范围，消除方法：有一个合适的静态工作点，大致选在交流负载线的中点，输入信号的幅值不能太大。①截止失真：静态工作点位置太低，输出信号正半周失真；消除方法，减小RB②饱和失真：静态工作点位置太高，输出信号负半周失真；消除方法，增大RB13.温度升高，集电极电流的静态值IC增大，容易出现饱和失真。分压式偏置放大电路能稳定静态工作点的实质是：因温度升高而引起IC增大时，发射极电阻RE上的电压降就会使UBE减小，从而使IB自动减小以限制IC的增大，工作点得以稳定。14.在低频段，耦合电容影响放大电路的性能；在高频段，分布电容影响放大电路的性能。15.零点漂移又称温度漂移。在直接耦合放大电路中抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。在共模输入信号的作用下，差分放大电路输出电压等于零，对共模信号没有放大能力，亦即放大倍数为零。因为两管输出端的漂移电压折合到两个输入端的等效漂移电相当于给放大电路加了一对共模信号，所以差分放大电路抑制共模信号能力的大小，也反映出它对零点漂移的抑制水平。16.单端输出差分放大电路抑制零点漂移（提高共模抑制比KCMRR）的途径：①使电路参数尽量对称②尽可能的加大共模抑制电阻RE单端输出差分放大电路只能加强共模抑制电阻RE来抑制零点漂移。17.放大电路的三种工作状态：甲类输出信号不失真，效率低，最高也只能达到50%，工作点在放大区；乙类出现截止失真，效率最高，工作点在放大区和截至区的交界处；甲乙类处在甲、乙二者之间。工作于甲乙类或乙类状态的互补对称放大电路，既能提高效率，又能减小信号波形的失真。18.场效晶体管与双极型晶体管的比较：⑴双极型晶体管：①两种不同极性的载流子（自由电子与空穴）同时参与导电②电流控制型，有基极电流③输入电阻很低④集成度不如场效晶体管⑤热稳定性差，制造工艺较复杂⑵场效晶体管：①只有一种极性的载流子（电子或空穴）参与导电②电压控制型，栅极无电流③输入电阻很大④热稳定性好⑤制造工艺简单，成本低，易于集成19.绝缘栅场效晶体管分类：绝缘栅场效晶体管按其工作状态可以分为增强型与耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道之分。20.为了避免绝缘层击穿，绝缘栅场效晶体管保存时，必须将三个电极短接；在电路中栅、源极间应有直流通路；焊接时应使电烙铁有良好的接“地”。21.集成运算放大器组成及其特点：①输入级输入电阻高，静态电流小，差模放大倍数高，抑制零点漂移和共模干扰信号的能力强，输入级都采用场效应管组成的差分放大电路，有同相和反相两个输入端②中间级主要进行电压放大，其电压放大倍数高，有共发射极放大电路构成，其放大管常采用复合管，集电极电阻常采用晶体管恒流源代替③输出级与负载相连，其输出电阻低，带负载能力强，有互补功率放大电路或射极输出器构成，或采用互补对称电路④偏置电路为上述各级电路提供稳定和合适的偏置电流，决定各级的静态工作点，由各种恒流源电路构成，只能代替动态电阻，不能代替静态电阻22.集成放大器开环工作在饱和区，引入反馈后工作在线性区（两个输入端的输入电流为零，即虚断；净输入电压约等于零，即虚短）23.理想运算放大器理想化条件：无限打得开环电压放大倍数，无限大的差模输入电阻，趋于零的开环输出电阻，趋于零的共模抑制比24.电力电子器件分类及全控器件分类：电力电子器件分类：1）不控器件，如整流二极管2）半控器件，如普通晶闸管3）全控器件全控器件分类：可断晶闸管、功率晶体管、功率场效晶体管、绝缘栅双极晶体管等25.负反馈的类型：1）串联电压负反馈2）并联电压负反馈3）串联电流负反馈4）并联电流负反馈。串联反馈两种定义：①反馈信号和输入信号是以电压形式做比较的②反馈信号和输入信号分别加在两个输入端。电压反馈的两种定义：①反馈信号直接从输出端引出②反馈信号和输出电压成正比。并联反馈的两种定义：①反馈信号和输入信号是以电流的形式作比较的②反馈信号与输入信号加在同一个输入端。电流反馈的两种定义：①反馈信号从输出端靠近接地点引出②反馈信号和输出电流成正比26.振荡电路的自激条件：①反馈电压uf与输入端电压ui要同相②要有足够的反馈量。RC振荡电路既是正反馈电路，又是选频电路，低频小功率；LC振荡电路，高频大功率27.电容滤波器：采用电容滤波时，输出电压的脉动程度与电容器的放电时间常数RLC有关系，带负载能力弱，输出电压波动变化大，随着负载变化，输出电压变化小，带负载能力强；没有电容滤波时，随着负载变化，输出电压变化较小，带负载能力强。电容滤波电路简单，输出电压较高，脉动也较小，外特性较差，且有电流冲击，，因此，电容滤波器一般用于要求输出电压较高，负载电流较小并且变化也较小的场合。28.为了减小输出电压的脉动程度，在滤波电容之前串接一个铁芯电感线圈L，这样就组成了电感电容滤波器（LC滤波器）。29.晶闸管是具有三个PN结的四层结构，引出的三个电极分别为阳极A，阴极K和控制极（或称门极）G。晶闸管主要用于整流、逆变、调压、开关四个方面。导通条件：1）晶闸管阳极电路加正向电压；2）控制极电路加适当的正向电压（实际工作中，控制极加正触发脉冲信号）。晶闸管的保护1）晶闸管的过电流保护措施：①快速熔断器②过电流继电器③过流截止保护2）晶闸管的过电压保护措施：采用阻容保护晶闸管是一个可控的单向导电开关，晶闸管正向导通受控制极电流的控制，晶闸管对控制极电流没有放大作用。30.单结晶体管也称为双基极二极管，有一个发射极和两个基极。31.脉冲跃变后的值比初始值高，则为正脉冲；反之为负脉冲。32.与非门电路逻辑功能：全1出0，有0出1.或非门电路：全0出1，有1出033.三态输出与非门电路的输出端除出现高电平和低电平外，还可以出现低三种状态—高阻状态。不能使其悬空。34.逻辑函数的表示方法：逻辑状态表、逻辑式、逻辑图、卡诺图、波形图35.编码是将某种信号或十进制的十个数码（输入）编成二进制代码（输出）。译码是将二进制代码（输入）按其编码时的原意译成对应的信号或十进制数码（输出）。36.8/3线编码器输入有8个信号，输出的是三位二进制代码。37.寄存器存放数码的方式有并行和串行两种。寄存器常分为数码寄存器和移位寄存器两种。其区别在于有无移位功能，移位寄存器不仅有存放数码而且有移位的功能。38.由555定时器可以组成单稳态触发器，也可以组成无稳态触发器。39.只读存储器（ROM）存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息。40.随机存取存储器（RAM）不仅可以随时从指定的存储单元读出数据，而且可以随时向指定的存储单元写入数据。RAM有双极型和MOS型两类。双极型存储速度快，但集成度较低，制造工艺复杂，功耗大，成本高，主要用于高速场合；MOS型速度较低，但集成度高，制造工艺复杂，功耗小，成本低，主要用于对工作速度要求不高的场合。在MOS型RAM中，又分为静态RAM和动态RAM两种，动态RAM存储单元所用元件少