..单项选择题1、半导体二极管加正向电压时.有()A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时.其内电场被()A、削弱B、增强C、不变D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时.应当工作于()A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入()构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素5、PN结V—I特性的表达示为()A、)1(/TDVvSDeIiB、DvSDeIi)1(C、1/TDVvSDeIiD、TDVvDei/6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比.其通频带()A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V.接入12kΩ的负载电阻后.输出电压降为3V.这说明放大电路的输出电阻为()A、10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ8、三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏.集电结反偏B、发射结正偏.集电结正偏C、发射结反偏.集电结正偏D、发射结反偏.集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是()A、输出电流恒定.直流等效电阻大.交流等效电阻小B、输出电流恒定.直流等效电阻小.交流等效电阻大C、输出电流恒定.直流等效电阻小.交流等效电阻小D、输出电流恒定.直流等效电阻大.交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时.直流电压源VCC应当()A、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻Re的共射放大电路.在并联交流旁路电容Ce后.其电压放大倍数将()A、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同.输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B.对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下.测得A放大器的输出电压小.这说明A的()A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合.可以在信号源与低阻负载间接入()A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示.当VCE=6V.其电流放大系数β为()..A、=100B、=50C、=150D、=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V.(见图2所示)则此三极管为()A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管16、多级放大电路的级数越多.则其()A、放大倍数越大.而通频带越窄B、放大倍数越大.而通频带越宽C、放大倍数越小.而通频带越宽D、放大倍数越小.而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时.说明它的电压放大倍数为()A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时.要求()A、独立信号源短路.负载开路B、独立信号源短路.负载短路C、独立信号源开路.负载开路D、独立信号源开路.负载短路19、场效应管放大电路的输入电阻.主要由()决定A、管子类型B、gmC、偏置电路D、VGS20、场效应管的工作原理是()A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于()A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电压控制型器件22、如图3所示电路为()图1图2..A、甲类OCL功率放大电路B、乙类OCL功率放大电路C、甲乙类OCL功率放大电路D、甲乙类OTL功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较.乙类OCL互补对称功放的主要优点是()A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真24、与乙类功率放大方式比较.甲乙类OCL互补对称功放的主要优点是()A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真25、在甲乙类功放中.一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压CEV与电路中所加电源CCV关系表示正确的是()A、CCCEVVB、CCCEVV21C、CCCEVV2D、以上都不正确26、通用型集成运放适用于放大()A、高频信号B、低频信号C、任何频率信号D、中频信号27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是()A、反相输入端为虚地B、输入电阻大C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是()A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路29、共模抑制比KCMR越大.表明电路()A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入.差模电压增益是()A、增加一倍B、为双端输入时的一半C、不变D、不确定31、电流源的特点是直流等效电阻()A、大B、小C、恒定D、不定32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的()A、1+AF倍B、1/(1+AF)倍C、1/F倍D、1/AF倍图3..33、为了使放大电路的输入电阻增大.输出电阻减小.应当采用()A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流.并增大输入电阻.应当引入()A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈35、如图4为两级电路.接入RF后引入了级间()A、电流并联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈36、某仪表放大电路.要求Ri大.输出电流稳定.应选()A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流).经过放大后希望输出电压与信号成正比.此放大电路应选()A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈38、某电路有用信号频率为2kHz.可选用()A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数()才能满足起振条件A、为1/3时B、为3时C、>3D、>1/340、LC正弦波振荡器电路的振荡频率为()A、LCf10B、LCf10C、LCf210D、LCf21041、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是()A、2nπ.n为整数B、(2n+1)π.n为整数C、nπ/2.n为整数D、不确定42、RC串并联正弦波振荡电路的振荡频率为()A、RCf621B、RCf21图4图4..C、RCf21D、RCf4143、桥式整流电路若变压器二次电压为tusin2102V.则每个整流管所承受的最大反向电压为()A、210VB、220VC、20VD、2V44、图5为单相桥式整流滤波电路.ui为正弦电压.其有效值为Ui=20V.f=50Hz。若实际测得其输出电压为28.28V.这是由于()的结果A、C开路B、C的容量过小C、C的容量过大D、RL开路45、在单相桥式整流电路中.若有一只整流管接反.则()A、输出电压约为2UDB、输出电压约为UD/2C、整流管将因电流过大而烧坏D、变为半波整流46、直流稳压电源中滤波电路的目的是()A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉D、保护电源47、在单相桥式整流电容滤波电路中.设U2为其输入电压.输出电压的平均值约为()A、U0=0.45U2B、U0=1.2U2C、U0=0.9U2D、U0=1.4U2单项选择题答案1、A2、A3、A4、A5、A6、B7、C8、A9、B10、A11、B12、B13、C14、B15、D16、A17、D18、A19、C20、D21、A22、C23、C24、D25、B26、B27、A28、D29、C30、C31、B32、A33、A34、A35、A36、D37、A38、C39、C40、C41、A42、B43、A44、D45、C46、C47、B图3C图5..计算题1、放大电路如图1所示,若VCC=12V.Rc=5.1kΩ.Rb=400kΩ.Re1=100Ω.Re2=2kΩ.RL=5.1kΩ.=50.300bbr(1)、求静态工作点;(2)、画出其h参数小信号等效电路;(3)、求Av、Ri和Ro。2、放大电路如图2所示.(1)画出电路的小信号等效电路;(2)写出计算电压放大倍数ioVVVA11和ioVVVA22的表达式;(3)画出当Rc=Re时的两个输出电压1oV和2oV的波形(与正弦波iV相对应)。3、如图3所示.设100,VVCC10.kRb201,kRb152.。kRC2Re。试求:(1)Q点;(2)电压增益iVVVA011和iVVVA022..(3)输入电阻iR;(4)输出电阻0201RR和4、三极管放大电路如图4所示。已知:rbb’=300Ω.β=49.VBEQ=0.7VRC=6.4KΩ.RL=6.4KΩ.RE=2.3KΩ(1)画出其微变等效电路(2)计算电压放大倍数Au(3)计算输出电阻Ro5、电路如图5所示.已知VT=2V.IDO=1mA.gm=30mS。电容足够大.其它参数如图所示。求:(1)电路的静态工作点;(2)画出低频小信号等效模型;(3)中频电压增益、输入电阻、输出电阻。图16图4..6、电路如图6.已知50.200bbr.VBEQ=0.7V.VCC=12V.570bR.4CR.4LR(1)、估算电路的静态工作点:IBQ.ICQ.VCEQ;(2)、计算交流参数AV、Ri、Ro值;(3)、如输出电压信号产生顶部失真.是截止失真还是饱和失真.应调整那个元件值.如何调?(4)、请简要说明环境温度变化对该电路静态工作点的影响。7、电路如图7所示.已知晶体管=50.在下列情况下.用直流电压表测晶体管的集电极电位.应分别为多少?设VCC=12V.晶体管饱和管压降VCES=0.5V。(1)、正常情况;(2)、Rb1短路;(3)、Rb1开路;(4)、Rb2开路;(5)、RC短路。图5VDD12VRs2KviRg22MRg12MRd2KvoRL2KC1C2C3..8、电路如图8(a)所示.其中电容C1、C2的容量视为无限大。试回答下列问题:(1)写出直流负载线表达式.在图8(b)上画出直流负载线.求出静态工作点(ICQ.VCEQ.IBQ);(2)画出放大电路的微变等效电路;(3)求出电压增益VA、输入电阻Ri及输出电阻Ro。9、在图9中.已知Rb1=300KΩ.Rc1=2KΩ,Rb2=200KΩ.Re=2KΩ.RL=2KΩ.IE2=2.2mA.β1=β2=60。求:(1)第一级的静态工作点;(2)放大器的输入电阻和输出电阻;(3)总的电压放大倍数。图题83KΩC1C2+VCC+6Vivov++__50Rc3KΩRLRb256KΩ图(a))(VvCE0图(b)..10、功率放大电路如图10所示.设输入vi为正弦波。(1)、静态时.输出电容C2上的电压应调为多少伏?(2)、RL得到的最大不失真输出功率大约是多少?(3)、直流电源供给的功率为多少?(4)、该电路的效率是多少?11、功率放大电路如图11示。设三极管的饱和压降VCES为1V.为了使负载电阻获得12W的功率。请问:(1)正负电源至少应为多少伏?(2)三极管的ICM.V(BR)CEO至少应为多少?12、电路如图12所示,JFET的gm=2mS.rDS=20KΩ。(1)求双端输出时的差模电压增益idooVDvvvA21的值;(2)求电路改为单端输出时,AVD1、AVC1和KCMR的值。图11图10vo+-..13、在图13中:1R.C=0.47uF.101R问:(1)、由该集成运放组成的电路是