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-1-`000101A1在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。`000201A1在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。`000301A1PN结的导电特性是。`000401A2为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。`000502A1夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。`000602A1场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。`000702A1共射放大电路中输出电压与输入电压相位。`000802A1在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。`000902A1双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。`001002A1场效应管三个电极分别为极、极和极。`001102A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。`001202A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。`001302A2场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。`001402A2场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型`001502A2单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。`001602A2在电子线路中，一般用输出电阻RO来衡量放大器带负载的能力，RO越小，则带负载的能力。`001702A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。`001802A2双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。`001902A3单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。`002002A3某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为。`002102A3如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。`002203A1设计一个输出功率为20W的推挽放大器，若用乙类OCL电路，则应选功放管的最大允许管耗Pcm必须大于（）W。`002303A1多级放大电路中常见的耦合方式有：，，，。`002403A1对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是信号；无用的或需要抑制的信号是信号。`002503A1大小相等、极性相反的信号称为信号；大小相等、极性相同的信号称为信号`002603A2乙类推挽功率放大器的（）较高，但这种电路会产生（）失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（）类状态。`002703A2在设计OTL功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意PCM大于（），V（BR）CEO大于（），ICM大于（）三个条件。`002803A2在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做。`002903A2多级直流放大电路最主要的问题是问题，解决的办法是采用电路。`003003A2甲类放大电路功放管导通角等于；乙类放大电路功放管导通角等于；甲乙类放大电路功放管导通角为。`003103A3正常时OCL功率放大器的中点电压应为（），OTL功率放大器的中点电压应为（）。`003203A3在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是类放大电路`003303A3电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的很大。-2-`003404A1理想运算放大器的开环电压增益为，输出电阻为。`003504A1理想集成运放的主要性能指标：Aod=，rid=；rod=。`003604A1集成运算放大器的两个输入端：同相输入端和反相输入端。前者的极性与输出端，后者的极性同输出端。`003704A2差动放大器KCMR越大，表明其对信号的抑制能力越强。`003804A2为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用耦合方式。`003904A3直接耦合多级放大器既能放大信号，也能放大信号。`004005A1深度负反馈的条件是。`004105A2为了稳定静态工作点，应该引入负反馈。`004205A2某负反馈放大电路的开环电压放大倍数为75，反馈系数为0.04，则闭环放大倍数为。`004305A2若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为反馈；若引回的反馈信号增强输入信号而使放大电路的放大倍数提高，这种反馈称为反馈。`004405A3在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入反馈；为了稳定输出电流，应引入反馈；为了使输出电阻降低，应引入反馈；为了使输入电阻提高，应引入反馈。`004505A3已知某放大器的输入信号为2mV时，输出电压为2V。加上负反馈后，输出电压为2V，则输入信号需变为20mV。则该电路的反馈深度为dB。`004606A1正弦波振荡器持续振荡的相位条件：。`004706A2LC并联谐振回路在正弦波振荡电路中的主要作用是做网络，组成正弦波振荡电路。`004806A2有源滤波器通常分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器，其缩写符号按顺序依次为、、、。`004907A1直流稳压电源由电源变压器、、和组成。`005007A2在直流电源中，滤波的目的是滤除整流电路输出电压中的成分。`005101B1常温下，硅二极管的开启电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约()V，锗二极管的开启电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V。A.0.3,0.5,0.5,0.7B.0.5，0.7，0.3，0.5C.0.5，0.7，0.1，0.3D.0.3，0.5，0.1，0.2`005201B1稳压管正常工作时工作在()区。A.正向导通B.反向击穿C.反向截止D.饱和区`005301B1PN结加正向电压时，耗尽层将（）。A变宽B变窄C不变D不定`005401B1电路如图所示，假如锗管VD1的导通压降为U1=0.2V，硅管VD2的导通压降为U2=0.6V。流过VD1、VD2的电流I1和I2分别为（）和（）。A.I1=10mA,I2=0mAB.I1=0mA，I2=10mAC.I1=5mA，I2=5mAD.以上都不是`005501B2电路如图（a）（b）所示，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，输出电压UO分别为()和()。-3-A.（a）5.7V（b）0.7VB.（a）5V（b）10VC.（a）5.7V（b）10VD.（a）5.0V（b）3.3V`005601B2在如图所示电路中，VDZ1、VDZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，输出电压UO为（）。A.1VB.6VC.7VD.0V`005701B2电路如图所示，设tussin15V，稳压管VDZ的稳定电压为8V，R为限流电阻，UO的波形为（）A.正半周在8V处出现切峰的正弦波B.正、负半周最大幅度均为15V的正弦波C.正、负半周均在8V处出现切峰的正弦波D.在+8V处出现切峰，负半周均为-0.7V`005801B2在如图所示电路中，整流二极管VD的反向击穿电压约为100V，额定功耗为250mW。外加130V反向电压，问该二极管反向电流最大会达到多少？之后二极管是否会损坏？A.反向电流忽略不计，不会损坏B.反向电流13mA，不会损坏C.反向电流13mA，损坏D.反向电流3mA，损坏`005901B2以下特性中，半导体不具有的是。A.掺杂特性B.单向导电行C.光敏特性D.热敏特性`006001B2二极管正向导通时UD=0.7V。估算下图所示电路中，流过二极管的电流ID和A点的电位UA是（）。A.UA=3.3V,ID=9.3mAB.UA=3.3V,ID=0.033mAC.UA=-5.3V,ID=0.53mAD.UA=-5.3V,ID=1.3mA`006102B1双极型晶体管工作在截止区的条件：发射结（），集电结（）。A.反偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，反偏D.正偏，正偏`006202B1-4-当晶体管工作在放大区时，下列说法正确的是（）。A.发射结和集电结均反偏B.发射结和集电结均正偏C.发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏`006302B1当晶体管工作在饱和区时，下列说法正确的是()。A.发射结和集电结均反偏B.发射结和集电结均正偏C.发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏`006402B1对于双极型晶体管，下列说法正确的是()。A.发射极和集电极可以调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度相同B.发射极和集电极可以调换使用，因为发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区高D.发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区低`006502B1晶体管工作在放大区时的偏置状态为（）。A.b--eb--c间均正向偏置B.b--e、b--c间均反偏C.b--e间正偏、b--c反偏D.b--e间反偏b--c正偏`006602B1在单管共射放大器中（）。AiO与Vi反相;BVO与iO同相；CVO与Vi同相;DVO与Vi反相.`006702B13DG6C晶体管的极限参数为PCM=100mw,ICM=16mA，U（BR）CEO=20V，在下列几种情况能正常工作的是：（）。AUCE=8V，IC=15mA;BUCE=20V，IC=15mA;CUCE=10V，IC=8mA;DUCE=3V，IC=25mA.`006802B1三极管三种组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是（）A共射电路B共基电路C共集电路D不能确定`006902B1三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是（）A共射电路B共基电路C共集电路D不能确定~`007002B2双极型晶体管工作在放大区和饱和区的电流放大系数之间的关系为()。A.工作在饱和区的电流放大系数大于工作在放大区的电流放大系数B.工作在饱和区的电流放大系数等于工作在放大区的电流放大系数C.工作在饱和区的电流放大系数小于工作在放大区的电流放大系数D.工作在饱和区的电流放大系数与工作在放大区的电流放大系数的关系不能确定`007102B2对于双极型晶体管，下列叙述正确的是()。A.基区厚、掺杂浓度低B..基区厚、掺杂浓度高C.基区薄、掺杂浓度高D..基区薄、掺杂浓度低`007202B2在放大电路中，测得双极型晶体管的3个电极的电位如图所示。管子的类型为()；3个电极：①为()；②为()；③为()。A.NPN;C,E,BB.PNP;C,E,BC.NPN;B,E,CD.PNP;B,E,C`007302B2在放大电路中晶体管3个电极的电流如图所示。电极①、②、③分别为()、()、()；约为()；管子类型为()。-5-A.C,E,B;40;PNPB.C,E,B;40;NPNC.B,E,C;50;PNPD.B,E,C;50;NPN`007402B2二极管和晶体管均为硅管，判断图中各晶体管的工作状态。正确答案为（）。A.VT1饱和、VT2饱和B.VT1截止、VT2饱和C.VT1截止、VT2放大D.VT1放大、VT2放大`007502B2晶体管的极限参数PCM=150mW，uCEOBR)(=30V和ICM=100mA.若其工作电压UCE=10V，则工作电流不得超过（）mA；若UCE=1V，则工作电流不得超过（）mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过（）V。A.15；100；150B.15；150；150C.15；150；30D.15；100；30`007602B2某晶体管的PCM=100mW，uCEOBR)(=15V和ICM=20mA.若要工作在放大状态，在下列几种情况下，哪种可能是正常工作：（）A.UCE=15V，IC=10mAB.UCE=2V，IC=40mAC.UCE=6V，IC=20mAD.UCE=8V，IC=10mA`007702B2当温度升高时，晶体管的电流放大系数和反向饱和电流ICEO（），发射结正向压降UBE（）；共射输入特性曲线将（）；输出特性曲线将（）；输出特性曲线之间的间隔将（）