DB52T 844-2013 半导体电流调整管

ICS31.080.01L40DB52贵州省地方标准DB52/T844—2013半导体电流调整管Currentregulatordiode2013-10-16发布2013-12-01实施贵州省质量技术监督局发布DB52/T844—2013I目次前言................................................................................II1范围..............................................................................12规范性引用文件....................................................................13术语文字符号......................................................................14要求..............................................................................55试验方法..........................................................................66接收和可靠性.....................................................................127标志、包装、运输和贮存...........................................................14DB52/T844—2013II前言本标准按照GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意：本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院提出并归口。本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、贵州煜立电子科技有限公司、中国振华集团永光电子有限公司。本标准主要起草人：章俊华、刘桥、林小文、龚洪宾、杨发顺、姚茂峰、李明贵、付悦、刘宗永、毛健。本标准与GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》、GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》共同构成了电流调整管的试验、检验标准。DB52/T844—20131半导体电流调整管1范围本标准规定了半导体电流调整管的术语和定义、技术要求、试验方法、接受和可靠性、标志、包装、运输和储存。本标准适用于半导体材料生产的电流调整管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T249半导体分立器件型号命名方法GB/T2424.19电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验导则GB/T2423.22电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验N:温度变化GB/T2423.28电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验T:锡焊GB/T2423.30电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验XA和导则:在清洗剂中浸渍GB/T2423.60电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验U:引出端及整体安装件强度GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937.1半导体器件机械和气候试验第1部分:总则GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T7581半导体分立器件外形尺寸GB/T11499半导体分立器件文字符号GB/T12560半导体器件分立器件分规范GB/T17573半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则JB/T7624整流二极管测试方法JESD51-14半导体基础器件瞬态热阻测试方法（结-壳）3术语和定义及符号下列术语和文字符号适用于本文件。3.1术语和定义3.1.1半导体电流调整管current-regulatordiode在规定的电压范围内，将电流限制在一个基本恒定值上的半导体器件，又称电流调整二极管、恒流二极管或稳流二极管。DB52/T844—201323.1.2阳极端(电流调整管的)anodeterminal当半导体电流调整管工作时，需施加正电位的器件端子。3.1.3阴极端(电流调整管的)cathodeterminal当半导体电流调整管工作时，需施加负电位的器件端子。3.1.4电流3.1.4.1恒定电流（IS）regulatorcurrent半导体电流调整管工作时，在规定的直流电压（VS）下，通过器件的电流。3.1.4.2最大反向电流（IR）reverseleakcurrent半导体电流调整管允许通过的最大反向电流。3.1.5电压3.1.5.1恒流启动电压（极限电压）(VL)limitingvoltage电流值为0.8IS时对应的电压。3.1.5.2恒流区最小工作电压（Vk）kneevoltage工作电压区的最小值。3.1.5.3恒流区最大工作电压（VE）maximumregulatorvoltage工作电压区的最大值。3.1.5.4恒流电流变化量（I）regulatorcurrentvariation工作电压区对应的恒定电流最大变化量。DB52/T844—201333.1.5.5工作电压区（VK-VE）regulatorvoltagearea工作电压区定义为：VK-VE，VK为恒流区最小工作电压，VE为恒流区最大工作电压。3.1.5.6测试电压（VS）regulatorvoltage测试恒定电流值IS所需施加的电压，VS=1.5VK。3.1.5.7最大反向电压（VR）reversebreakdownvoltage通过结的反向电流等于规定值IR时的反向电压。3.1.6电流调整精度(Kc)currentadjustmentaccuracy表征恒定电流值受电压变化影响的参数。定义为恒定电流变化量与工作电压区之比，单位为微安/伏(A/V)。公式为：CEKIKVV......................................(1)3.1.7温度系数（ais）temperaturecoefficientofregulatorcurrent在两个规定温度之间，恒定电流的变化率与这两个温度差之比，是表征恒定电流值受温度影响的参数。3.1.8脉冲上升时间(tr)risetime半导体电流调整管在脉冲电压作用下，电流从0.1IS上升到0.9IS所经历的时间。3.1.9脉冲下降时间(tf)falltime半导体电流调整管在脉冲电压撤出后，电流从0.9IS下降到0.1IS所经历的时间。3.1.10功耗（Pz）powerdissipation半导体电流调整管在恒流区的功耗PZ=IS×V，V是恒流区工作电压。最大功耗PZm=IS×VE。3.1.11DB52/T844—20134动态电阻（ZH）dynamicresistance在规定的工作电压（VS）和规定的交流信号(3.0V,1KHz)下,器件两端产生的交流电压与交流电流之比。3.2符号半导体电流调整管的电路符号见图1，直流特性曲线见图2，瞬态特性曲线见图3。阳极端（anode)+-　阴极端（cathode)电流调整管（CRD)图1半导体电流调整管电路符号ISI0.8ISVLVKVSVE△IVIRVR图2半导体电流调整管直流特性曲线DB52/T844—20135IttI0.1I0.9Itrtf12图3半导体电流调整管瞬态特性曲线4要求4.1型号半导体电流调整管（CRD）的型号命名规则应符合GB/T249的规定。4.2封装和外形尺寸半导体电流调整管的封装应采用国家标准或国际标准封装，外形尺寸应符合相关国家标准或国际标准的规定。4.3引脚定义半导体电流调整管的引脚定义图应由详细规范应给出。4.4极限值详细规范中应给出以下极限值：a)最高贮存温度(Tstg)；b)最低和最高工作温度(Tambmin、Tambmax)；c)在25℃的环境温度下的最大功耗(PZM)；d)最大反向电压(VR)或最大反向电流(IR)。4.5电特性4.5.1详细规范中应给出在工作温度为25℃时的以下电特性参数：a)在测试电压VS下，恒定电流的最大值和最小值（ISmin,ISmax）；b)在最大工作电压VE下，恒定电流的最大值(ISE)；c)电流调整精度(Kc)；DB52/T844—20136d)恒流启动电压(VL)；e)最大工作电压（VE）；f)脉冲上升时间(tr)；g)脉冲下降时间(tf)；h)动态电阻（ZH）。4.5.2半导体电流调整管的温度系数（ais）应在详细规范中应给出。4.6热特性器件结到壳的最大瞬态热阻应在详细规范应给出。4.7机械特性4.7.1引出端强度器件的引出端强度应在详细规范中给出。试验前和试验后器件恒定电流测量结果应一致。4.7.2可焊性器件应能承受GB/T2423.28-2005Ta规定的试验。4.7.3耐焊接热器件应能承受GB/T2423.28-2005Tb规定的试验。4.8气候环境适应性4.8.1快速温度变化器件能承受的严酷等级应在详细规范中给出，试验前和试验后器件恒定电流测量结果应一致。4.8.2贮存（在高温下）器件能承受的严酷等级应在详细规范中给出，试验前和试验后器件恒定电流测量结果应一致。5试验方法5.1测量用仪器a)电流表和电压表的精度：0.5级或更高；b)直流电源的电压误差不超过±1﹪；c)交流讯号源的波形失真系数不大于10﹪。5.2测量环境条件a)常规测试大气条件：温度20℃±5℃，相对湿度为45%～75%，气压86kPa～106kPa；b)基准测试大气条件：温度25℃±1℃，相对湿度为48%～52%，气压86kPa～106kPa。当相对湿度和大气压对被测参数没有可观影响时，大气条件可仅以温度为准。5.3外观检查DB52/T844—20137环境照度为250lx,距离300mm，正常或放大3～10倍，目视检查。出现以下任一情况，则判为不合格：a)器件型号等标志的内容、位置和清晰度不符合详细规范要求；b)由于制造、操作或试验中所引起的缺陷或损坏：如包封中的损坏、凹坑或裂纹；表面线度大于1.5mm或深度超过0.2mm的缺陷；缺损使不应暴露的内部材料（如引线架或导电层）暴露；c)可见的腐蚀、污染或破损的迹象，引脚折断、密封破裂、电镀层剥落、氧化的缺陷；d)引出端上沾有如漆或其他粘合物之类的无关材料；e)详细规范给出的其他要求。5.4尺寸检验尺寸按详细规范进行检验。5.5电测试5.5.1恒定电流（Is）a)测量原理见图4。电流调整管（CRD）VAE+－图4稳定电流测量原理图b)测量步骤：在规定的环境条件下，按图4进行连接，打开并调节直流电源，使器件两端的电压V达到规定的工作电压VS，从电流表A上读得恒定电流IS。5.5.2恒定电流的温度系数(αIS)a)测量原理见图4。b)测量步骤：1)被测器件在规定的环境温度T1中放置0.5h后，打开并调节直流电源E，使器件两端的电压达到规定的测试电压VS，从电流表A上读得恒定电流Is1；2)被测器件在规定的环境温度T2中放置0.5h后，打开并调节直流电源E，使器件两端的电压达到规定的测试电压VS，从电流表A上读得恒定电流Is2。3)计算温度系数：αIS=S2S121S1II(/C)(TT)I.................................(2)DB52/T844—20138c)规定条件：环境温度：T1=25℃，T2=75℃；测试电压VS。5.5.3恒定电流变化量(△IS)a)测量原理见图4。b)测量步骤：1)在规定的环境条件下，打开并调节直流电源E，使器件两