DB13T 1633-2012 太阳能级多晶硅片

ICS29.220K83DB13河北省地方标准DB13/T1633—2012太阳能级多晶硅片Thesolargradepolysiliconwafers2012-09-28发布2012-10-15实施河北省质量技术监督局发布DB13/T1633—2012I前言本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准的术语与相关标准协调一致。本标准起草单位：英利集团有限公司。本标准主要起草人员：高艳杰、王爱军、王亮。DB13/T1633—20121太阳能级多晶硅片1范围本标准规定了太阳能级多晶硅片的产品质量等级、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于太阳能级多晶硅片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本文件。GB50034-2004建筑照明设计标准GB/T191包装储运图示标志GB/T14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T12963硅多晶GB/T14264半导体材料术语GB/T25074太阳能级多晶硅3定义GB/T14264界定的以及以下术语和定义适用于本文件。3.1硅片厚度Waferthickness硅片中心点厚度。3.2总厚度变化TotalThicknessVariation（简称TTV）硅片厚度最大值与最小值之差。3.3角度RightAngle四边形硅片相邻两边长之间的夹角大小。3.4弯曲度Bendingdegree多晶硅片扣置在水平面上，硅片内曲面与水平面间的最大距离。DB13/T1633—201223.5崩边EdgeChip硅片边缘呈现的单面局部破损。一般用宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。ahha崩边或缺口haa宽度h延伸度ah图1崩边、缺口示意图3.6缺口Breakage硅片边缘呈现贯穿正反两面的局部破损。一般宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。3.7孔洞Hole贯穿硅片正反两面的无规则、大小不等的小孔。3.8锯痕Sawmarks切割时在硅片表面留下的不规则上下凹凸的线状切割痕迹。3.9亮线Brightline硅片表面肉眼可分辨的亮度明显高于正常硅片表面颜色的轻微锯痕。3.10划痕Scratch在白炽灯或荧光灯下，肉眼明显可见的凹陷状划伤。3.11微晶Micrograin晶格外圆直径小于2mm且团聚个数超过10个/cm2的晶粒。DB13/T1633—201233.12杂质Impurity硅锭中的团聚杂质在切割成硅片后，在表面形成的黑色密集斑点。4质量等级划分质量等级分为优等品、一等品、二等品三个等级。5质量等级要求5.1氧碳含量氧碳含量要求见表1。表1氧碳含量要求项目优等品一等品二等品氧含量O/（atoms/cm³）O≤1.0×1018碳含量C/（atoms/cm³）C≤8.0×10175.2电学特性电学特性要求见表2。表2电学特性要求项目优等品一等品二等品电阻率ρ/（Ω·cm）0.5≤ρ≤4少子寿命τ/μsτ≥4（经抛光）或τ≥1.4（裸片）2≤τ＜4（经抛光）或1≤τ＜1.4（裸片）1≤τ＜2（经抛光）或0.7≤τ＜1（裸片）5.3几何尺寸偏差5.3.1边长偏差边长偏差要求见表3。表3边长偏差要求边长标称值L/mm边长偏差Δa/mm优等品一等品二等品L≤80|Δa|≤0.20.2＜|Δa|≤0.40.4＜|Δa|≤0.680＜L≤200|Δa|≤0.30.3＜|Δa|≤0.50.5＜|Δa|≤0.8L＞200|Δa|≤0.40.4＜|Δa|≤0.80.8＜|Δa|≤1.0DB13/T1633—201245.3.2厚度偏差厚度偏差要求见表4。表4厚度偏差要求厚度标称值T/μm厚度偏差Δt/μm优等品一等品二等品T≤160|Δt|≤55＜|Δt|≤1010＜|Δt|≤15160＜T≤220|Δt|≤1515＜|Δt|≤2525＜|Δt|≤35T＞220|Δt|≤2020＜|Δt|≤3030＜|Δt|≤405.3.3倒角尺寸偏差倒角尺寸偏差要求见表5。表5倒角尺寸偏差要求项目优等品一等品二等品斜边尺寸偏差Δh/mm|Δh|≤0.5斜角度偏差Δγ/°|Δγ|≤105.3.4总厚度变化总厚度变化要求见表6。表6总厚度变化要求项目优等品一等品二等品总厚度变化TTV/μmTTV≤2020＜TTV≤3535＜TTV≤505.3.5角度偏差角度偏差要求见表7。表7角度偏差要求项目优等品一等品二等品角度偏差Δβ/°|Δβ|≤0.20.2＜|Δβ|≤0.35.3.6弯曲度弯曲度要求见表8。表8弯曲度要求项目优等品一等品二等品弯曲度b/μmb≤3030＜b≤5050＜b≤100DB13/T1633—201255.4外观外观要求见表9。表9外观要求项目优等品一等品二等品崩边(宽度a/mm，延伸度h/mm)不允许a≤1.0且h≤0.5，但每片数量不超过2个。1.0≤a≤1.5且h≤1.0，同时每片总数量不超过2个或0.5≤h≤1.0且a≤1.5，同时每片总数量不超过2个。缺口(宽度a/mm，延伸度h/mm)不允许a≤0.1且h≤0.1，但每片数量不超过5个。a≤0.1且h≤0.1，同时每片数量大于5个但不超过10个。锯痕（深度K/μm）不允许20＜K≤4040＜K≤50亮线不允许亮线面积不超过硅片面积的四分之一。亮线面积超过了硅片面积的四分之一，但不超过硅片面积的二分之一。划痕（长度k/cm）不允许k≤3，但每片条数不超过2条。k＞3，但每片条数不超过5条。微晶(最大横径D/mm)不允许D≤2020D≤30沾污不允许不允许表面允许有轻微的沾污，但总面积不超过硅片面积5%，且双面油污不允许。孔洞不允许裂纹不允许杂质不允许6试验方法6.1氧碳含量检测6.1.1氧含量的检验参照GB/T1557进行。6.1.2碳含量的检验参照GB/T1558进行。6.2电学特性检测6.2.1电阻率的检验参照GB/T14141进行。在同一个晶粒内测试。6.2.2少子寿命的检验参照GB/T1553进行。取整个硅片少子寿命的平均值。6.3几何尺寸偏差检验6.3.1边长偏差检验采用硅片分选机或分度值不小于0.02mm的游标卡尺进行。6.3.2厚度偏差检验采用硅片分选机或分度值为0.001mm的测厚仪进行。6.3.3倒角尺寸偏差检验DB13/T1633—201266.3.3.1斜边尺寸偏差检验采用分度值为2′的角度尺进行。6.3.3.2斜角度偏差检验采用分度值为0.1mm钢板尺进行。6.3.4总厚度变化检验采用硅片分选机或分度值为0.001mm的测厚仪进行。6.3.5角度偏差检验采用分度值为2′的角度尺进行。6.3.6弯曲度采检验用硅片分选机或分度值为0.01mm的塞尺进行。6.4外观检验6.4.1崩边、缺口、锯痕检验采用目视法及硅片分选机或带读数的显微镜进行。6.4.2亮线、划痕、微晶检验采用目视法及分度值为0.5mm的钢板尺进行。6.4.3沾污、孔洞、裂纹、杂质检验采用目视法进行。注1：凡涉及到“目视、目测”字样的条款，其检验的光照条件依据GB50034-2004中第5.3.1条通用房间或场所一般试验室或检验中的要求，即0.75m水平面，照度标准值为300Lx。注2：以上检验方法也可由供需双方商定。7检验规则7.1检验分类产品检验分出厂检验和型式检验两类。7.2检验项目及要求7.2.1出厂检验项目为电学性能、几何尺寸偏差、外观，要求对产品抽样检验。7.2.2型式检验项目为本标准规定的全部内容。有下列情况之一时，产品应进行型式检验：a)原料有较大改变，可能影响产品性能时；b)生产工艺有较大变动，可能影响产品性能时；c)长期停产重新恢复生产时；d)出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时；e)质量监督机构提出进行型式检验的要求时。7.3组批产品应以批的形式提交验收。同一生产班组、同一规格的产品为一批。7.4抽样7.4.1氧碳含量测试时取5片为样本，每片测量5次求平均值。7.4.2电学特性按照每一批次抽检10片进行，每片测量5次求平均值。7.4.3几何尺寸偏差、外观按GB/T2828.1一般检查水平为Ⅱ，正常检查，二次抽样方案进行。见表10。DB13/T1633—20127表10几何尺寸偏差、外观检验项目及接收质量限序号项目接收质量限（AQL）1几何尺寸偏差边长偏差1.0厚度偏差1.5倒角尺寸偏差1.5总厚度变化1.5角度偏差1.5弯曲度1.02外观崩边1.0缺口0.4锯痕0.65亮线0.65划痕1.0微晶0.65沾污0.65孔洞0.4裂纹0.4杂质0.65累计2.57.4.4以上可由供需双方协商确定的抽样方案进行。7.5判定规则7.5.1出厂检验7.5.1.1电学特性每个测试结果都必须符合标称等级性能要求，否则为不合格。7.5.1.2按照标称等级性能要求，几何尺寸偏差、外观项目中若有一项不符合抽检方案，则判定该等级不合格。7.5.2型式检验全部项目检验结果符合标称等级质量要求，则判定该等级合格。8标志、包装、运输、贮存8.1标志8.1.1产品包装应标明以下内容：a)产品名称、产品规格、质量等级、数量及重量；b)执行标准编号及生产厂名、厂址；c)生产日期或批号、检验日期；d)附合格证明。8.1.2包装标识按GB/T191的要求，箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等字样或标志。DB13/T1633—201288.2包装根据产品的实际尺寸、重量、包装数量等参数设计防震材料进行包装，并在内部附加必要的缓冲材料以提供足够的边缘保护，防止磕碰、震动等，特殊要求由供需双方协商。8.3运输在运输过程中不应有剧烈振动，应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。8.4贮存产品应贮存在清洁、干燥环境中。_________________________________