IC资料第十二节K4D551638H256MbitS

K4D551638H256MbitSDRAM一、概述K4D55163H是一个268,435,456位的水平同步动态随机存储器数据，4X4,194,304字节的16位架构。它是一由三星公司生产的高性能CMOS工艺，同步特性具有数据开起允许外部高效率达到1.1GB/S/chip。I/O口处理可能产生的边缘时钟信号，运行频率范围控制。可编程的烧录长度和可编程的潜伏数据允许器件用于高性能存储系统的种类。二、特点1、2.35V~2.7V电源电压提供驱动2、2.35V~2.7V电源电压提供给I/O口界面3、SSTL_2兼容输入/输出4、4层操作5、MRS循环地址数据程序6、读数据延迟时钟2.5,37、脉冲长度2，4与88、脉冲类型（连续/插入）9、微分时钟输入三、引脚四、IC内部框图