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VisualDefectIntroductionE1-INT3XY05Crosssection(bipolar):LayerCode•In-linehold货如是defect原因，请按照右表格式keyincomment.AC：Arcing•外观：金属表面呈烧焦及熔岩状，而且沿着金属线路熔毁。或圆形爆炸状•成因：在电浆（Plasma）环境中，高浓度的带正电离子经由电弧（ARC）对晶片表面容易蓄积电荷或导电部位放电时所产生的高热熔毁金属线路。•OMfigure:M1ACBC/BV：BlindContact/BlindVIA•外观：Contact（连接M1/Poly)/VIA(连接M1/M2)的大小变小或完全消失不见。•成因：a,Photo焦距偏差（defocus），以至于contact/VIA部位曝光不足，而无法曝开；b,Photo光阻涂布不良，使底层被蚀刻掉。•OMfigure:COBCV1BVBR：bridge•外观：图形桥接•成因：PHOTOdefocus•OMfigure:C1：Taperesidue•外观：胶带残留，只发生在最上层，可以擦掉。（背面磨薄制程中，胶带粘表面）•成因：透明胶状物•OMfigure:•Remark:目前SinoMOS尚未涉及到晶背研磨，故不会出现C1的defect.C2：Foreigncontamination•外观：不规则状，非透明物，一般呈现条状。•成因：晶片后续操作中引入，多数在可以清洗掉•OMfigure:PAC2CR：corrosion•外观：MetalLine侧边有泡状/多颗泡状衍生物，造成金属凹陷。•成因：a,金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而继续腐蚀金属，包括制程异常造成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时间太久；b,其它酸腐蚀（如BPSG中的P遇水气形成磷酸）。•OMfigure:M1CRM2CRCK：Crack•外观：非正常图形定义线条，如护层龟裂，破裂處金屬光澤較強烈（即較亮）•成因：a.VIA龜裂可能SOG不均或护层结构异常•b.護層龜裂护层应力不协调或外物DAMAGE。•OMfigure:V1CKC3：Sifragment•外观：有棱角，片岩状碎屑。•成因：晶片破片，叠片以及刮伤等。•OMfigure:PAC3CO：contamination•外观：不规则状物•成因：晶片制程中引入（机台异常或人为操作不当），多数清洗不掉•OMfigure:PACODC：Dis-color•外观：强光灯或肉眼下可见WAFER表面颜色不均匀，OM下街道颜色不均匀•成因：Film厚度不均匀•OMfigure:OXDCDM：Damaged（silicondamage）•外观：圆圈状，水滴状，如出现在Silicon裸露的街道为聚集的水滴状，向街道交叉处聚集。•成因：制程中Silicon裸露时，被氨水damage•OMfigure:WADMHL：Hillock•外观：在金属表面或测边a,原形平顶突起b,尖顶状突起c,多角形平頂突起。•成因：金属原子在热循环（ThermalCycle）中，因热膨胀系数不同而产生的应力之作用而形成的丘状突起。•OMfigure:M2HLSize3um,OOS.HZ：Nitridehaze•外观：发生在Nitride层，强光灯下可见雾状物，OM下为密集的细小PA（暗区检查较好）。•成因：SIN反应中固体产物抽离不及，落在WAFER上。•OMfigure:SNHZLD：localdefocus•外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形•成因：defocus(机台异常或WAFER底部不平坦)•OMfigure:MA：mis-alignment•外观：图形便移，与其他图形重叠全批/单片重复性缺陷•成因：Layertolayermis-alignment或REWORK图形残留•OMfigure:NU：Non-uniform•外观：VIA层有液滴或条状突起•成因：（a,SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。）？？b,洗边时，洗边液IPA（压力流量控制不稳）滴入SOGfilm上。•OMfigure:OE：overetch•外观：金属线路变窄•成因：金属ETCH时，polymer未保护好侧壁导致金属线ETCH过多，变形•OMfigure:PA：particle•典型PA1：COPA•外观：a,多存在于T2位置，呈竖列分布；b,簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中；c,metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。•成因：BPSGprocess中产生•OMfigure:COPA（checkafterBPSG）PA：particle•典型PA1：COPA•外观：a,多存在于T2位置，呈竖列分布；b,簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中；c,metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。•成因：BPSGprocess中产生•OMfigure:COPA（checkafterMET）PA：particle•典型PA2：M1PAM2PA•外观：a,不规则块状金属残留，中央有黑色外来物；泪滴状金属残留；b,PA附近MET1下CONTACT/MET2下VIA不变形c,此种defect一般会造成金属桥接或者是线条扭曲。•成因：METsputterchamber中产生或TIWTARGET产生，造成PHOTOPR定义不良，导致ETCHRE和图形变形。•OMfigure:M1PAM2PAPA：particle•典型PA3：PAPA•外观：a,不会导致金属变形桥接b,PA较大且于护层中引入，导致PAD定义时变形，且PA周围有护层残留。•成因：Passivationprocess引入的particle.•OMfigure:PAPAPA：particle•典型PA4：V1PA•外观：圆形突起,一般外围有凹痕•成因：SOGprocess引入的particle.•OMfigure:VIPAPB：PRburn•外观：PR内缩，黑色残留物，不易去除。•成因：高能量过程导致光阻烧焦。•OMfigure:PI：Pits•外观：金屬Pad或是線路上有凹洞,OM下为非凸起的小黑点。如Pits产生于ETCH前，ETCH后街道一定有RE，RE通常有顆粒狀核心存在。如Pits产生于ETCH后，街道CLEAR。只在ALSICU制程中产生。MET2较易发生Pits，如在METPHOTO有疑似当层pits，请务必到ETCH后再CHECK。如有RE则为Pits，判断是否报废，如无RE，则非Pits•请注意判断RE所在FILM，及MET1/MET2上是否有同样defect•成因：在凹洞之中的顆粒狀核心即為ThetaPhase（AlOCu）析出。黄光显影液腐蚀，ACT槽腐蚀，或METFILMprocess温度过低。•OMfigure:M2PIPITSONMETPitsonstreetPM：polymer•外观：PadContact边缘有丝状或颗粒状残留物。•成因：a,电浆蚀刻（PlasmaEtching）后作为侧壁保护或未饱和分子体（Unsaturated）形成的高分子聚合物（Polymer）未能去除干净而造成的残留。•OMfigure:PC：Poorcoating•外观：光阻覆盖不完全，可导致FILM在该处被ETCH掉。•成因：光阻塗佈不良•OMfigure:PL：PRlifting•外观：Pattern（線路及其他結構）呈歪曲或移位現象•成因：由光阻移位所造成的問題其外觀與薄膜本身移位不同。光阻移位後，是光阻Pattern重疊，所以在蝕刻後薄膜的Pattern交接處，仍在同一平面.•OMfigure:P1PLPR：PRremaining•外观：薄膜上有深咖啡色、褐色或黑色的脏污残留；许多微小颗粒呈脉状网络分布。•成因：PR去除不良•OMfigure:PAPRM2PRPW：Powder•外观:OM下颗粒状密集PA，SIZE较小•成因：CVD机台副产物•OMfigure:COPWRE：Residue(ETCH)•外观:非正常图形的FILM图形。•成因：a,蚀刻时终结点（etchingpoint）侦测错误或提早捉到；b,蚀刻前有异物或particle覆盖在光阻或薄膜上形成etchingmask，阻挡蚀刻的进行。c,FILM厚度异常导致ETCH未净•OMfigure:M2RERE：Residue(ETCH)•典型RE：TIWRE•外观:金属层非金属区域的异常图形块，无金属颜色。•成因：金属蚀刻时，8330机台的ALSICU/TIW切换source时，POLYMAR掉到WAFER上，挡住TIWETCH。•OMfigure:RP：Residue(PHOTO)•外观:不规则块状、条状薄膜残留，边缘平缓，呈现液体流动状。•成因：a,黄光制程中有particle掉落在晶片表面，阻挡曝光的进行；b,显影不良造成pattern未显开。•OMfigure:M1RPM2RPRD：repeatingdefect•外观:在不同SHOT的相同位置重复发生。•成因：光罩粘污•OMfigure:RF：roughness•典型RF1：OXRF•外观:切割道或Chip内有黑点状或者是絮状残留，metalgate较易出现此类defect。严重时，强光灯下雾状。•成因：ETCH导致•OMfigure:RF：roughness•典型RF2：M1/M2RF•外观:金属表面有严重，凸凹不平滑现象经由护层的散射，使金属呈变色现象。•成因：金属溅镀过程中温度越高，粗糙程度越高，而变色现象系由于光线经由金属粗糙化表面散射而使颜色变得更深。•OMfigure:SC：scratch•典型SC1：METfilmSC•外观:a，金属FILM有损伤，刮伤中有金属拉伸现象；b，刮伤区域较为干净，不会产生很多碎屑，刮伤大块金属堆积物ETCH后有RE。c，注意区分Met-1和Met-2.•成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。•OMfigure:M1SC(checkatADI)SC：scratch•典型SC2：显影后ETCH前SC•外观:a,FILM无损伤，或损伤很轻（光阻厚）b，ETCH后检查刮伤区域图形散乱，但在同一平面上c，注意区分Met-1和Met-2.•成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。•OMfigure:M1SCPASCSC：scratch•典型SC3：METETCH后SC•外观:a，金属线条有损伤，刮伤边缘有金属被带出；b,刮伤区域较为干净，不会产生很多碎屑。c,请注意区分MET1MET2•成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。•OMfigure:M1SCSC：scratch•典型SC4：护层SC•外观:a,3PSG的刮痕一般呈现细沙状，有较多细小颗粒被带出来；b,PE-SIN的刮伤一般有应力的表现，且相对较为干净。（请先确定刮伤是在最表层金属上的层次）•成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。•OMfigure:M1SCSN：Siprecipitate•外观:金属覆盖区域外有黑色斑点状残留•成因：a,Si斑殘留與金屬蝕刻有極大關聯。因此，分佈情形受到蝕刻面積效應(LoadingEffect)的影響，通常呈中央密，周圍較疏得情形.b,Si斑係金屬蝕刻所殘留的。因此，與金屬層位於同一高度沿著矽析出的痕跡，隱約可見到Grain的痕跡（多角形）.c,曾发生与METGATE产品中,与PROCESS中METWETETCH有关。•OMfigure:SP：SiPrecipitate•外观:金属表面飞蚊状黑色物析出，金属晶界明显。曾发生ALSI制程，为METFILM上较粗糙，且有凸起小黑点，ETCH后有细小残留有金属颜色。•成因：METFILMsputter温度异常，或结构变化。•OMfigure:METGATEPROCESSONMETREONSTREETUD：underdevelop•外观:PR定义图形，显影后周围有旋涡状