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电阻电容电阻：电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧（Ω），也常用千欧（kΩ）或者兆欧（MΩ）做单位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。电阻主要作用就是联通各个功能给他们输送电流的。电容：就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成，所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。电容的用途非常多，主要有如下几种：1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路4．滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。电容的单位主要是F法拉表示有uF微法pF皮法1F=1000uF1uF=1000pF二极管二极管：又叫晶体二极管，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成了一个自建的电场，当外加电压时引起自建电场的变化，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场得阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。二极管的特性：正向导电，稳定的压降0.7V，稳压二极管，整流二级管，发光二级管，肖特基二极管变容二极管开关二极管二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）,也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。三极管三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，MOS管三极管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。分别为电流控制器件和电压控制器件。FET的增益等于它的跨导(transconductance)gm，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。场效应管的名字也来源于它的输入端栅（称为gate），通过投影一个电场在一个绝缘层（氧化物SIO2)上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体（只是一个电容的作用），所以FET管的GATE电流非常小（电容的电流损耗）。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）（metaloxidesemicondutorfieldeffecttransistor）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。MOS管是电压控制器件更省电主要起开关和电流放大作用三极管是电流控制器件起信号放大作用普通的输出都以双MOS上下管输出为主这样做效率更高，NMOSPMOS三极管MOS管测试二极管二极管的好坏最容易判断，用万用表的二极管档红黑表笔接两端有通过的声音就属正常MOS用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。三极管将指针万用表打到x1K欧姆挡,现在说说测NPN型三极管的好坏.将黑表笔与三极管基极相连,分别测三极管基极与发射极,基极与集电极之间的电阻,这两种情况下的电阻值均为千欧(若三极管为锗管,阻值为1k欧左右;若为硅管,阻值为7k欧左右).对调一下表笔,再测发射结和集电结的电阻,其阻值均为无穷大.由此可初步判定此三极管是好的.否则说明此三极管是坏的.下面可进一步判断三极管的好坏.将万用表打到x10k挡,用红黑表笔测三极管发射极和集电极之间的电阻,然后对调一下表笔再测一次.这两次所测得的电阻有一次应为无穷大,另一次为几百到几千千欧.由以上即可判定此三极管为好的.如果两次测得三极管发射极和集电极之间的电阻都为零或都为无穷大,则说明三极管发射极和集电极之间短路或开路,此三极管已不再可用.对于PNP型三极管,用上面的方法判断时将万用表的红黑表笔对调一下即可.三极管极性BCE的判断将测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。判断了B基就能很容易判读E基了，黑表笔接B基，红表笔接另外两极导通电阻小的那个极就是E极，电阻大的就是C基NPN管的判断PNP管的判断相反放大电路典型放大电路包括输入信号，供电电源电压，接地，三极管，耦合电容滤波电容反馈回路三极管有三个状态区域：截止区，工作区，饱和区反馈回路的作用就是控制放大电路工作在稳定的放大区域，使得信号不失真。几乎所有的信信号处理电路都会有反馈回路英文叫feedback,反馈回来的电压叫参考电压Vref.MOS管因为通过的电流大所以坏得比较多电源供电部分的电压输出都是用MOS的输出的一般MOSt都连接一个电感这是最好的电压测试点位PMOS电感MOS管多成对设计NMOS北桥南桥电源管理开机EC笔记本开机复位流程1按下POWERSWITCH键的时候H8检测到一个电平变化，然后发送开机信号PWRSWITCHH8给南桥南桥收到开机信号依次拉高SLPS5，SLPS4，SLPS3。开启所有外围电压主要是+3V+5VDDR1.8V。VTTPWRGD1.8DIMPWRGD1.5RUNGD相与发送ALLSYSGD信号表明外围电源正常开启2ALLSYSGD使能信号发送到PMH4，延迟99MS之后PMH4会发出VcoreON信号到CPU电源来开启VRCORECPU核心电压至此整个电压开启3CPU电源芯片发出VRPWRGD信号通知南桥VRCORE成功开启南桥会发出PCIRST信号到PCI总线于是总线上的设备都初始化北桥也是然后北桥发HCPURST信号给CPUCPU被RESET4如果需要进入待机模式S3系统的ACPI和WINDOWS同时拉低SLPS3并保持SLPS4SLPS5拉高以关闭MAIN主电源进入待机模式笔记本电源电路当插上AC时：16V电压经过F2、Q34、R210/R211/R213、Q36,形成主供电VINT16；当拔掉AC,只有主电池时，约11V电池电压经F12、Q8、Q10、Q13，形成主供电VINT16；当装上主电池的同时又插上AC,VINT16由（2）产生，Q13关闭，电池由充电电路充电！+16VSRC用来检测是否有正确的AC供电，提供给相应的电源控制电路确定采用哪个电源供电！VREGIN16供给TOSHIBATB62501F,产生3.3V待机电压VCC3SW，提供给电源控制芯片当插上AC时，首先形成VREGIN16电压，供给TB62501F的57脚，TB62501F59脚输出3.3V电压（VCC3SW），送给PMH4的7、31、59、80、98脚，给PMH4供电！其次，形成-EXTPWR低电平信号，输入到TB62501F的2脚和PMH4的73脚，TB62501F的42脚DCIN_DRV信号控制Q36导通，形成VINT16电压！供给各DC-DC转换电路。PMH4的43脚输出VCC5M_ON控制U41(MAX1631)工作，控制转换电路输出VCC5MVCC3M、VDD15三组电压，76脚输出VCC1R8M_ON控制U51(MAX1845)转换输出一组VCC1R8M电压！有了VCC5M电压，供给U29(MAX1845),U29就会控制输出1R2M电压！PMH4的88脚控制AUX(VCC3AUX、VCC1R5AUX)电压产生！主板电源•主板有了主供电（VINT16）电压后，分别送到•U41（MAX1631）产生3V5V系统电压•U42(ADP3806)产生CPU电压Vcore•U29/U30/U51(MAX1845)内存南北桥供电•U19/U21/U25(ADP3205/ADP3415)•组成的DC-DC转换电路，通过PWM形式，在电源控制电路的开关信号控制下，分别产生主板上各种芯片、桥、CPU、内存等需要的不同数值的稳定电压！电源架构VCC3MVCC5M电源分组•M组：VCC3M、VCC5M、VCC1R2M、VCC1R8M•A组：VCC2R5A、VCC3A•B组：VCC1R25B、VCC3B、VCC5B、VCC1R5B、•VCC1R8B、VCC1R2B、VCCCPUCORE•AUX组：VCC3AUX、VCC1R5AUX•VIDEO组：VCC3_V、VCC1.5_V、VCC2.5_V、•VCC1.8_V、VCCVIDEOCORE•其它：VCC3P、VBL16、VCC5MUBAY、USBPWR电源控制：PMH4与TOSHIBATB62501F•IBMT40笔记本用了两个电源管理芯片管理整个主板的电源，这两个芯片分别是PMH4和TOSHIBATB62501F!•PMH4主要按加电时序控制各DC-DC转换电路和充电电路！•TB62501F产生PMH4的供电3.3V(VCC3SW)！•TB62501F识别是否外接AC，并控制热交换电路的切换！•PMH4的各DC-DC控制信号输入到TB62501F中，同时各路DC-DC转换输出的电压也输入到该芯片中，TB62501F配合按时序控制各路开关管，使DC-DC转换输出的电压供应到相应的功能电路，并有电压反馈到该芯片中做控制反馈！当检测到主板上的各路电源电压正常时，TB62501F芯片：•A、产生MPWRG,表示M组电源工作正常，给南桥做RSMRST#信号！•B、产生APWRG，表示A组电源工作正常！•C、产生BPW