工业催化 -第六章 半导体催化剂的催化作用及光催化原理

第六章半导体催化剂的催化作用及光催化原理本章主要内容：半导体的能带结构及其催化活性；从能带结构出发，讨论催化剂的电导率、逸出功与催化活性的关系；半导体多相光催化原理。金属硫化物催化剂的概述金属硫化物与金属氧化物有许多相似之处，是半导体型化合物。作为催化剂的多为过渡金属硫化物，如Mo、W、Ni、Co、Fe等的金属硫化物具有加氢、异构、氢解等催化活性，用于油品的加氢精制；加氢脱硫(HDS)、加氢脱氮(HDN)、加氢脱金属(HDM)等过程；硫化物催化剂：单组分和复合组分。半导体的能带结构及其催化活性过渡金属氧化物、硫化物(半导体)催化剂过渡金属氧化物、硫化物多属半导体类型，本章用半导体能带理论来说明这类催化剂的催化特性。将半导体的导电率、电子逸出功与催化活性相关联，解释解释这类催化剂的催化作用。固体的能带结构原子核周围的电子是按能级排列的。例如1S，2S，2P，3S，3P……内层电子处于较低能级，外层电子处于较高能级。固体中许多原子的电子轨道发生重叠，其中外层电子轨道重叠最多。由于这种重叠作用，电子不再局限于在一个原子内运动，而是在整个固体中运动，这种特性称为电子的共有化。但重叠的外层电子也只能在相应的轨道间转移运动。例如3S引起3S共有化，形成3S能带；2P轨道引起2P共有化，形成2P能带。禁带、满带或价带、空带或导带3S能带与2P能带之间有一个间隙，其中没有任何能级，故电子也不能进入此区，称之为禁带；下面一部分的能级组成一个带，一般充满或部分充满价电子，称为满带或价带；上面一部分的能带也组成一个带，在基态时往往不存在电子，只有处于激发态时才有电子进入此带，所以称为空带，又叫导带；激发到空带中去的自由电子提供了半导体的导电能力。导体、半导体、绝缘体的能带的结构金属的能带结构导体都具有导带，能带没有被电子完全充满，在外电场的作用下，电子可从一个能级跃迁到另一个能级，因此能够导电。绝缘体的能带结构绝缘体的满带己被电子完全填满，而禁带很宽(＞5eV)，满带中的电子不能跃迁到空带上去，所以不能导电。半导体半导体的禁带很窄，在绝对零度时，电子不发生跃迁，与绝缘体相似；当温度升高时，部分电子从满带激发到空带上去，空带变成导带，而满带则因电子移去而留下空穴，在外加电场作用下能够导电，称半导体。半导体的类型本征半导体：不含杂质，具有理想的完整的晶体结构，有电子和空穴两种载流子，例如Si、Ge、PbS、Fe3O4等。N型半导体：含有能供给电子的杂质，此杂质的电子输入空带成为自由电子，空带变成导带。该杂质叫施主杂质。P型半导体：含有易于接受电子的杂质，半导体满带中的电子输入杂质中而产生空穴，该杂质叫受主杂质。本征半导体能带结构不含杂质，具有理想的完整的晶体结构，具有电子和空穴两种载流子N型半导体(电子型半导体)在导带和满带之间另有一个能级，并有电子填充其中，该电子很容易激发到导带而引起导电，这种半导体就称为N型半导体。中间的这个能级称为施主能级。满带由于没有变化在导电中不起作用。实际情况中N型半导体都是一些非计量的氧化物，在正常的能带结构中形成了施主能级。(1)正离子过量：含有过量Zn的ZnO(2)负离子缺位氧化物(3)高价离子同晶取代(4)掺杂P型半导体(空穴型半导体)在禁带中存在一个能级，它很容易接受满带中跃迁上来的电子，使满带中出现空穴而导电，这种导电方式就是P型导电。这种能级称为受主能级，有受主能级的半导体称为P型半导体，P型半导体也是一些非计量的化合物，这些非计量关系造成半导体中出现受主能级。(1)NiO的正离子缺位在NiO中Ni2+缺位，相当于减少了两个正电荷。为保持电中性，在缺位附近，必定有2-Ni2+个变成Ni3+，这种离子可看作为Ni2+束缚住一个空穴，即Ni3+＝Ni2+·，这空穴具有接受满带跃迁电子的能力，当温度升高，满带有电子跃迁时，就使满带造成空穴，从而出现空穴导电。(2)低价正离子同晶取代若以Li＋取代NiO中的Ni2+，相当于少了一个正电荷，为保持电荷平衡，Li+附近相应要有一个Ni2+成为Ni3+。即Ni3+＝Ni2+·，这空穴具有接受满带跃迁电子的能力，同样可以造成受主能级而引起P型导电。(3)电负性较大原子的掺杂在NiO晶格中掺入电负性较大的原子时，例如F，它可以从Ni2+夺走一个电子成为F-，同时产生一个Ni3+，也造成了受主能级。总之，能在禁带中靠近满带处形成一个受主能级的固体就是P型半导体，它的导电机理是空穴导电。费米能级EF费米能级EF是半导体中价电子的平均位能。本征半导体中，EF在满带和导带之间；N型半导体中，EF在施主能级和导带之间；P型半导体中，EF在受主能级和满带之间。电子逸出功由电子逸出功：将一个具有平均位能的电子从固体内部拉到固体外部所需的最低能量。掺入施主杂质使费米能级提高，从而导带电子增多并减少满带的空穴。对N型半导体来说，电导率增加了；对P型半导体而言，电导率降低；掺入受主杂质其作用正好相反。半导体催化剂的化学吸附本质催化作用电子理论把表面吸附的反应物分子看成是半导体的施主或受主。半导体催化剂上的化学吸附：对催化剂来说，决定于逸出功的大小；对反应物分子来说，决定于电离势I的大小。由和I的相对大小决定了电子转移的方向和限度。(1)当I＜时电子从吸附物转移到半导体催化剂上，吸附物带正电荷。如果催化剂是N型半导体其电导增加，而P型半导体则电导减小。这种情况下的吸附相当于增加了施主杂质，所以无论N型或P型半导体的逸出功都降低了。(2)当I＞时电子从半导体催化剂转移到吸附物，于是吸附物是带负电荷的粒子吸附在催化剂上，可以把吸附物视作为受主分子。对N型半导体其电导减小，而P型半导体则电导增加，吸附作用相当于增加了受主杂质从而增加了逸出功。(3)当I时半导体与吸附物之间无电子转移，此时形成弱化学吸附，吸附粒子不带电。无论对N型或P型半导体的电导率都无影响。例子对于某些吸附物如O2，由于电离势很大，无论在哪种半导体上的化学吸附总是形成负离子；有些吸附物，如CO、H2，由于电离势小，容易形成正离子。半导体催化剂的催化活性催化剂的活性与反应物、催化剂表面局部原子形成的化学吸附键性质密切相关。化学吸附键的形成和吸附键的性质与多种因素有关，对半导体催化剂而言，其导电性是影响活性的主要因素之一。例子对于2N2O＝2N2十O2反应在金属氧化物催化剂上进行时，实验发现：P型半导体氧化物(Cu2O，CoO，NiO，CuO，CdO，Cr2O3，Fe2O3等)活性最高其次是绝缘体(MgO，CaO，Al2O3)N型半导体氧化物(ZnO)最差；实验研究还发现，在P型半导体上进行分解反应时，催化剂的电导率增加，而在N型半导体上进行时电导下降。据此可以推测：N2O在半导体表面上吸附时是受主分子。2N2O＝2N2十O2的反应机理若N2O分解分两步进行2N2O＝2N2十O2在P型半导体上反应活性较高的解释反应机理中的第一步是不可逆快反应，第二步是慢反应，是决定反应速度步骤。催化剂的电导率应该由第一步所引起，总的结果为N型电导下降，P型电导上升。这与实验结果一致。反应速率由第二步控制，所以要加快反应速率，必须提高催化剂接受电子的速率。由于P型半导体的空穴能位比N型半导体的导带能位更低，所以接受电子的速率快得多，这就解释了P型半导体的活性较高的原因。掺杂对2N2O＝2N2十O2反应的影响适当加入一些杂质使费米能级下降，即加入一些受主杂质会有助于加速反应。但是反应的决定反应速度步骤随条件而变化，当受主杂质加得太多到一定程度已严重影响到第一步要求电子的速率，这样反过来第一步会成为决定反应速度步骤。事实上对P型半导体NiO加一些Li2O证实了上述的推论，适当加入一些Li2O可以增加空穴浓度，提高反应速率，但当Li2O的量超过0.1%时，反应速率反而降低。因为此时空穴浓度太高，使第一步吸附产生O-成为困难。所以添加Li2O有一个最佳值。半导体催化剂的选择原则设反应为A+B＝CA为施主分子，B为受主分子。其电子转移过程如下图所示：由于A、B的吸附速率常常是不一样的，所以决定反应速度步骤也往往不一样。若AA＋十e是慢过程，反应为施主反应，增加催化剂空穴，能增加反应速率。若B十eB-是慢过程，反应为受主反应，增加催化剂自由电子则能增加反应速率。慢过程的确定究竟哪一步为决定反应速度步骤？取决于反应物A、B的电离势(IA、IB)和催化剂的电子逸出功的相对大小。对上述A+B＝C反应，催化剂的逸出功必须介于IA和IB之间，且IA＜＜IB才是有效的催化剂。第一种类型逸出功靠近IA，EA＜EB。此时B得电子比A给出电子到催化剂容易，于是A的吸附成为决定反应速度步骤，属于P型反应。为了加快反应速率，必须提高催化剂的以使EA增加，必须降低费米能级EF，加入受主杂质对反应有利。第二种类型靠近IB，EB＜EA。此时A给催化剂电子，比B从催化剂得到电子要容易得多，于是B的吸附成为决定反应速度步骤。加入施主杂质提高EF以降低来使EB增大而加速反应。第三种类型在IA和IB之间的中点即EA=EB。此时二步反应速率几乎相近，催化反应速率也为最佳。由此推论：如果已知IA和IB的话，只要测出催化剂的逸出功就可推断反应的活性大小光催化原理及应用光催化原理-以TiO2为例TiO2光催化反应原理光催化反应类型TiO2光催化活性TiO2光催化技术存在的问题TiO2光催化剂改性光催化与其他技术耦合TiO2光催化剂失活与再生光催化研究的新动向概述20世纪60年代中期，发现半导体材料具有光敏性，并能引发吸附物种的氧化还原反应，开始了半导体光致催化研究。20世纪70年代初期，Fujishima发现施加偏压的TiO2半导体单晶电极受光照后能将H2O分解为H2和O2，光催化在分解水制氢的研究中得到发展,但由于现有光催化剂的量子效率和催化活性低，这一研究目前仍未取得太大进展。20世纪80年代以来，光催化研究较多集中在半导体多相光催化方面，在一定波长光照下，半导体中产生电子-空穴对，吸附到半导体催化剂表面的反应物种得到或失去电子实现光致氧化还原反应。20世纪90年代以来，多相光催化用于环境污染的深度净化，取得了较大进展。光催化及光催化作用的基本问题光催化：既需要有催化剂的存在，又需要光的作用。有时光催化作用，还需要在一定的热环境中进行。光催化作用比一般催化作用涉及的问题要多得多。光催化作用研究的基本问题反应中，首先被光活化的是催化剂？还是反应物？其活化态是什么？被光活化的催化剂或反应物分子通过什么途径完成整个光催化过程？半导体多相光催化反应原理-TiO2为例光催化反应原理半导体粒子具有能带结构：由填满电子的低能价带和空的高能导带构成，价带和导带之间存在禁带，禁带宽度为Eg。当半导体受到能量等于或大于禁带宽度(Eg)的光照射时,价带上的电子可被激发跃迁到导带，同时，在价带产生相应的空穴，这样就在半导体内部生成电子(e-)-空穴(h+)对。TiO2光生空穴的电势当半导体受到受到光激发而跃迁到导带。由于带隙的存在，光生电子-空穴对有一定的寿命，电子位于能量较高的状态，而空穴位于能量较低的状态。导带上的激发电子可作为还原剂被吸附物种捕获而发生还原反应，而价带上的空穴作为氧化剂而使反应分子发生氧化反应。锐钛型TiO2的禁带宽度3.2eV，它上面的光生空穴的电势大于+3.0eV，比氯气的+1.36eV和臭氧的+2.07eV电势还高，具有很强的氧化性。光催化剂上光生空穴的氧化性应用TiO2经光激发产生的h+的氧化性，比起氯气、臭氧的氧化性强得多。空穴(h+)能够同吸附在催化剂粒子表面的OH-或H2O发生作用生成·OH。·OH是一种活性更高的氧化物种，能够无选择性地氧化多种有机物并使之矿化。能够抗拒光催化强氧化性破坏的有机物为数极少。常用于对污