技能培训专题-电子技术基础ch1-3

1.3二极管电路的分析方法及应用二极管V-I特性的建模应用举例二极管V-I特性的建模1.理想模型3.折线模型2.恒压降模型4.小信号模型二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。DDdivr即)1(/SDDTVveIi根据得Q点处的微变电导QdvdigDDdQVvTTeVI/SDTVIDdd1gr则DIVT常温下（T=300K）)mA()mV(26DDdIIVrT二极管V-I特性的建模二极管电路分析方法举例1.整流电路（a）电路图（b）vs和vO的波形2.限幅电路电路如图，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI=6sintV时，绘出相应的输出电压vO的波形。二极管电路分析方法举例【例1-1】二极管电路如图（a）所示，其输入电压的波形如图（b）所示。（1）试绘出的波形，设二极管是理想的。（2）试绘出的波形，设二极管用恒压降模型替代（）。（3）试绘出该电路的电压传输特性，设二极管用折线模型代替（，）。0.7DvV0.6thVV25Dr(b)200Ω200Ω6VD5100(a)/V()ivt()ovt()ivtt/mSovov解：（1）设二极管是理想的，根据二极管的单向导电性可知，当V时，D截止，V；()6ivt0()6vt0[()6]200()6(200200)ivtVvtV1()32ivtV由以上分析可画出该电路输出电压的波形图。t/mSt/mS005568610/V()ovt/V()ivt()ivt当≥6V时，D导通，则200ΩD200Ω6V()ivt()ovtDv（2）利用二极管的恒压降模型可得出等效电路如图所示。当V时，D截止，V；()6.7ivt0()6vt()ivt当≥6.7V时，D导通，则0[()60.7]200()6(200200)ivtVVvtV1()2.652ivtV()ivt当=10V时，V。0()7.65vt6.71005t/mS7.6560t/mS/V()ivt/V()ovt（３）利用二极管的折线模型可得出等效电路如图所示。其中，Ｖ，。()6.6ivt0()6vt0.6thV25Dr()ivt当≥6.6V时，D导通，则当V时，D截止，V0[()60.6]200()6(20025200)ivtVVvtV0.47()2.89ivtV()ivt当=10V时，V。0()7.59vt200ΩD25Ω200Ω6V()ovt()ivtthv7.59606.610/V()ovt/V()ivt半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。