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1.阵点：晶体中的质点抽象位规则排列于空间的几何点。2.空间点阵：阵点在空间呈周期性规则排列，并具有完全相同的周围环境，这种由它们在三维空间规则排列的阵列称为空间点阵。3.空间格子：用来描述空间点阵的三维几何格架。4.简单晶胞：只有在平行六面体每个顶角上有一阵点的晶胞。5.复杂晶胞：除在顶角外，在体心、面心或底心上有阵点。6等同点：晶体结构中物质环境和几何环境完全相同的点。7.合金：由两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成，并具有金属特性的物质。8.组元：组成合金的基本的、独立的物质。9.相：合金中具有同一聚集状态、同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。10.单相合金：有一种相组成的合金。11.多相合金：由几种不同的相组成的合金。12.固溶体：以某一组元位溶剂，在其晶体点阵中融入其他组元原子（溶质原子）所形成的均匀混合的固态溶体，它保持着溶剂的晶体结构类型。13.中间相：两组元A和B组成合金时，除了形成以A为基或以B为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。14.中间相的分类：正常价化合物、电子化合物、与原子尺寸因素有关的化合物（间隙相和间隙化合物、拓扑密堆相）固溶体根据溶质原子在溶剂点阵中所处位置，分为置换固溶体和间隙固溶体。按固溶度分类：有限固溶体和无限固溶体。按各组元原子分布的规律性分类：无序固溶体和有序固溶体。15.置换固溶体：溶质原子置换了溶剂点阵的部分溶剂原子的固溶体。16.极限电子浓度：最大溶解度时的电子浓度数值接近位1.4。17.间隙固溶体：溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体。18间隙相：当非金属X和金属M原子半径的比值rx/rM0.59时，形成具有简单的晶体结构的相。19.间隙化合物：当rx/rM0.59时，形成具有复杂的晶体结构的相。拓扑密堆相：由两种大小不同的金属原子所构成的一类中间相，其中大小原子通过适当配合构成空间利用率和配位数都很高的复杂结构20.晶体缺陷：实际晶体中原子排列不规则、完整，存在各种偏离理想结构的情况。根据晶体缺陷的几个特征，分为三类:点缺陷、线缺陷、面缺陷。21:晶格畸变：点缺陷周围的涉及几个原子间距范围的弹性畸变区，从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降。22.点缺陷：在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。23.点缺陷的分类：热缺陷、组织缺陷、电荷缺陷24.空位：原子脱离原来的平衡位置迁移到别处，在原位出现的空结点就是空位。25.肖特基缺陷：离开平衡位置的原子迁移到晶体的表面上。26.弗仑克尔缺陷：离开平衡位置的原子迁移到晶格的间隙中。27.空位的形成能：在晶体内取出一个原子放在晶体表面上（但不改变晶体的表面积和表面能）所需要的能量。28.热平衡缺陷：由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷。29.过饱和的点缺陷：通过高温淬火、冷变形加工和高能粒子的辐照效应等形成。30.平衡浓度：晶体中点缺陷的存在一方面造成点阵畸变，使晶体内能升高，增大了晶体的热力学不稳定性；另一方面，由于增大了原子排列的混乱程度，并改变了其周围原子的振动频率，又使晶体的熵值增大，而熵值增大，晶体就越稳定。由于存在着这两个互相矛盾的因素，晶体中的点缺陷在一定温度下必然有一平衡的数目。31.复合：间隙原子与一个空位相遇时，它将落入该空位，而使两者都消失的过程。32.能量起伏：体系中每个微小体积所实际具有的能量会偏离体系平均能量水平而瞬时涨落的现象。33.自扩散：晶体中的原子由于空位和间隙原子不断产生和复合，不停地由一处向另一处作无规则的布朗运动。34.位错：晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错。35.位错的分类：分为刃型位错和螺型位错36.滑移：在外加应力的作用下，通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移(小于一个原子间距)而逐步实现的。37.交滑移：从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移38.双交滑移：如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。39.攀移：垂直于滑移面的方向运动。40.位错的应变能：位错中心畸变能Ec和弹性应变能Ee41.位错密度：单位体积晶体中所含位错线的总长度。（单位面积的位错线数目）42.单位位错：柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错称为单位位错。43.全位错：柏氏矢量恰好等于点阵矢量整数倍的位错称为全位错。44.不全位错：柏氏矢量不等于单位点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。45.部分位错：柏氏矢量小于单位点阵矢量的位错称为部分位错。46.堆垛层错：实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错，简称层错。47.肖克利不全位错：层错与完整晶体的边界就是肖克莱位错，可以滑移，但不能攀移。属于可动位错。既可以是纯刃型，也可以是纯螺型或混合型。48.弗兰克不全位错：抽去半层密排面形成的弗兰克不全位错，可以攀移，但不能滑移。又称不滑动位错或固定位错。弗兰克位错属纯刃型位错。49.位错反应：位错之间的相互转化（分解或合并）称为位错反应。50.表面：固体材料与气体或液体的分界面。51.内界面：晶界、亚晶界、孪晶界、层错和相界面等。52.表面能：晶体表面单位面积自由能的增加。53.晶界：属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面。54.亚晶界：位向稍有差异的相邻亚晶粒间的界面。55.小角度晶界：相邻晶粒的位向差小于10°晶界；亚晶界均属小角度晶界，一般小于2°56.小角度晶界的分类：对称倾斜晶界、不对称倾斜晶界、扭转晶界。57.大角度晶界：相邻晶粒的位向差大于10°晶界，多晶体中90％以上的晶界属于此类。58.重合位置点阵：设想把两个相邻晶粒的阵点向晶界以外无限延伸，再经过微小的位置调整（如绕某轴旋转）以后，必有一部分阵点重合。由这些重合阵点构成的新点阵，称为“重合位置点阵”。重合位置的原子占晶体原子的比例，称为“重合位置密度”。59.相界：具有不同结构的两相之间的分界面。60.相界分类：共格相界，半共格相界，非共格相界61.共格界面：所谓共格是指界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，即两相的晶格是彼此衔接的，界面上的原子为两者共有。62.半共格界面：若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大，这时界面上两相原子部分地保持匹配，这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。63.非共格界面：当两相在相界面处的原子排列相差很大时,只能形成非共格界面。64.相界能：包括弹性畸变能和化学交互作用能。从相界能的角度来看，从共格到半共格到非共格相界依次增加。65.扩散：固体中的原子或分子由于热运动从一个位置不断迁移到另一个位置。扩散的基本类型按扩散路径分：晶内扩散、晶界扩散、晶面扩散66.菲克第一定律：扩散中原子的通量与质量浓度梯度成正比。(描述物质由高浓度区向低浓度区迁移的定量公式。)D值越大，扩散越快。第一定律仅适用于稳态扩散。即在扩散过程中材料各处的浓度及浓度梯度都不随时间改变的情况。67.非稳态扩散：浓度梯度随时间变化而变化的扩散，即各点的浓度随时间而变化。稳态扩散：浓度梯度不随时间变化而变化的扩散68.化学扩散：扩散是由于浓度梯度所引起的。69.自扩散：不依赖浓度梯度，仅由热振动所引起的扩散。70.柯肯达尔效应：反映了置换原子的扩散机制，两个纯组元构成扩散偶，在扩散的过程中，界面将向扩散速率快的组元一侧移动。(柯肯达尔效应最重要意义之一就是支持了空位扩散机制)71.上坡（逆）扩散：沿着浓度升高的方向进行扩散，使浓度发生两极分化。下坡（顺）扩散：沿着浓度降低的方向进行扩散，使浓度趋于均匀化，如渗碳、铸件的均匀化退火等；72.平均扩散速度：当溶质原子扩散加速到其受到阻力等于驱动力时，溶质原子的扩散速度就达到它的极限速度。73.扩散机制：在晶体中，原子在其平衡位置作热振动，并会从一个平衡位置跳到另一个平衡位置，即发生扩散间隙机制：原子从一个晶格中间隙位置迁移到另一个间隙位置（间隙机制适用于间隙固溶体中间隙原子的扩散）空位机制：通过空位进行跳动，晶体中总有一定数量的空位，并且它们总是不断地移动位置，在空位扩散时，扩散原子跳入空位，此时所需的能量不大，但每次跳动必须有空位移动与之配合，即原子进入相邻空位实现一次跳动之后，必须等到一个新的空位移动到它的邻位，才能实现第二次跳动。(空位机制适用于置换固溶体中原子的扩散)74.推填：即一个填隙原子可以把它近邻的、在晶格结点上的原子“推”到附近的间隙中，而自己则“填”到被推出去的原子的原来位置上。75.挤列：一个间隙原子挤入体心立方晶体对角线(即原子密排方向)上，使若干个原子偏离其平衡位置，形成一个集体，此集体称为“挤列”，原子可沿此对角线方向移动而扩散。76.弹性变形：外力去除后能够完全恢复的那部分变形。77.弹性后效(滞弹性)：一些实际晶体，在加载或卸载时，应变不是瞬时达到其平衡值，而是通过一种弛豫过程来完成其变化的。这种在弹性极限σe范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为滞弹性或弹性后效。78.弹性滞后：由于应变落后于应力，曲线商加载线和卸载线不重合形成一封闭回线。79.内耗：应变落后于应力，这时会产生能量的消耗，因为这种能量的消耗是产生在试样的内部，故称作内耗。80.粘性流动：非晶体固体和液体在很小外力作用下，会发生没有确定形状的流变，并且在外力去除后，形变不能回复。81.粘弹性现象：一些非晶体或多晶体，在比较小的应力时可以同时表现出弹性和粘性。82.塑性变形：材料在外力作用下发生永久变形而不被破坏的能力。屈服强度：材料开始发生明显塑性变形时的最低应力值。83.单晶体塑性变形的方式：滑移、孪生、扭折84.滑移：晶体的一部分相对于另一部分沿一定晶面发生相对的滑动。滑移系：一个滑移面和此面上的一个滑移方向合起来叫做一个滑移系。85.滑移的临界分切应力：当晶体受到外力作用时，不论外力方向、大小和作用方式如何，均可将其分解成垂直某一晶面的正应力与沿此晶面的切应力。只有外力引起的作用于滑移面上、沿滑移方向的分切应力达到某一临界值时，滑移过程才能开始。该分切应力称为滑移的临界分切应力。86.软取向：取向因子大87.硬取向：取向因子小88.多系滑移：对于具有多组滑移系的晶体，滑移首先在取向最有利的滑移系(其分切应力最大)中进行，但由于变形时晶面的转动结果，另一组滑移面上的分切应力也可能逐渐增加到足以发生滑移的临界值以上，于是晶体的滑移就可能在两组或更多的滑移面上同时进行或交替地进行，从而产生多系滑移。89.派-纳（P-N）力：1、2为等同位置，当位错从位置1移动到位置2时，需要越过一个势垒，也就是位错在运动时遇到了点阵阻力，又称为派-纳（P-N）力。派－纳力公式意义：滑移面的面间距越大，越容易滑移。由于晶体中原子最密排面的面间距最大，密排面上最密排方向上的原子间距最短，这就解释了为什么晶体的滑移面和滑移方向一般都是晶体的原子密排面与密排方向。90.形变织构：金属冷塑性变形时，晶体要发生转动，使金属晶体中原为任意取向的各晶粒逐渐调整到取向彼此趋于一致．这就形成了晶体的择优取向，称为形变织构。91.储存能：一小部分以畸变能储存在形变材料内部。储存能的具体表现方式为：宏观残余应力、微观残余应力、点阵畸变。92.回复：新的无畸变晶粒出现之前所产生的亚结构和性能变化的阶段。93.再结晶：出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程。94.晶粒长大：再结晶结束之后晶粒的继续长大。95.（再结晶）形核：再结晶晶核是现存于局部高能量区域内的、以多边化形成的亚晶为基础形核。96.（再结晶）长大：晶粒长大，实质上是一个晶界迁移的过程。界面迁移的驱动力主要是无畸变的新晶粒与周围旧晶粒之间的应变能差。97.再结晶温度：冷变形金属开始进行再结晶的最低温度。测定方法：金相法、硬度法98.正常晶粒长大：大多数晶粒几乎同时逐渐均匀长大。99.异常晶粒长大（二次再结晶）：少数晶粒突