SiC功率器件的研究和展望

SiC功率器件的研究和展望作者：张玉明，汤晓燕，张义门，ZHANGYu-ming，TANGXiao-yan，ZHANGYi-men作者单位：西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,陕西,西安,710071刊名：电力电子技术英文刊名：POWERELECTRONICS年，卷(期)：2008,42(12)被引用次数：4次参考文献(8条)1.王悦湖;张义门;张玉明Ni/4H-SiC肖特基二极管高温特性研究[期刊论文]-西安电子科技大学学报2004(01)2.YumingZhang;YimenZhang;PAlexandrovFabricationof4H-SiCMergedPN-SehottkyDiodes[期刊论文]-ChineseJournalofSemiconductors2001(03)3.张玉明;张义门;罗晋生6H-SiCMOS场效应晶体管的研制[期刊论文]-固体电子学研究与进展2000(01)4.尚也淳;张义门;张玉明6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCado模拟[期刊论文]-电子学报2001(02)5.汤晓燕;张义门;张玉明界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响[期刊论文]-物理学报2003(04)6.JinxiaGao;YimenZhang;YumingZhangFabricationof4HSiCBuried-ChannelnMOSFETs[期刊论文]-ChineseJournalofSemiconductors2004(12)7.HuiGuo;YimenZhang;DayongQiaoTheFabricationofNickelSilicideOhmicContactston-type6H-siliconCarbide[外文期刊]2007(06)8.ChaoWang;YimenZhang;YUmingZhangElectricalandOpticalCharacteristicsofVanadiumin4H-SiC[外文期刊]2007(05)本文读者也读过(5条)1.张玉明碳化硅功率器件的研究和展望(邀请报告)[会议论文]-20082.张波.邓小川.张有润.李肇基.ZHANGBo.DENGXiao-chuan.ZHANGYou-run.LIZhao-ji宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望[期刊论文]-中国电子科学研究院学报2009,4(2)3.张玉明.张义门碳化硅功率器件[会议论文]-20024.丁瑞雪碳化硅MOS器件电学特性研究[学位论文]20065.余岳辉.李皎明.彭昭廉SiC功率器件的特性及开发现状[会议论文]-2000引证文献(4条)1.白玉新.刘俊琴.李雪.曹英健.张建国.仲悦碳化硅(SiC)功率器件及其在航天电子产品中的应用前景展望[期刊论文]-航天标准化2011(3)2.张发生.李欣然基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制[期刊论文]-固体电子学研究与进展2010(1)3.封先锋.陈治明.蒲红斌6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制[期刊论文]-人工晶体学报2010(5)4.张发生.李欣然对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究[期刊论文]-中南林业科技大学学报2010(5)本文链接：