引晶经验

引晶经验一．找锅位待容完料后降功率至上炉引晶功率基本相同，核对前几炉拉制整棒的引晶锅位，选取所需要的的引晶锅位，其实选取引晶锅位就是选取液面的位置，从热场的角度来说液面应在加热器发热区上端平口往下50-70mm，对于不同德热场，拉制不同的品种，装料量的不同，其锅位都会有些变化，这要有实践来决定，其次试拉时可以多选几个锅位试引晶。1．坩埚位置过低，引晶拉速不易上提，容易缩细，更容易引断。等到放肩时要么不易长大，要么一长大就很快，温度反映慢，热惰性大2．坩埚位置过高，易找到温度，引晶好引，却不易排除为错，放肩不久就会断棱，还会出现设备问题，操作问题（液面突然晃动，锅跟比跟的太紧）易出现涮导流筒二．找温度当容完料后按工艺调晶转8，锅转6，稳温度时间控制在两个小时，同时拟仔细观察会发现液面和坩埚壁接触处有起伏现象，它是由于硅溶液和石英坩埚起反应生成的sio2气体逸出液面而产生的，温度越高反应越激烈，起伏越厉害，从而可以判断温度的高低。1.温度过高：锅边的液体频繁地爬上锅壁后又急忙掉下，起伏厉害2.温度过低：锅边液体平静没有起伏3.温度适中：锅边的液体慢慢爬上接着又慢慢回落借助这些现象，在操作时为了能更好更快的找到合适引晶的温度，可以对照上一炉的欧陆显示并参照上一炉引晶功率引晶。三引晶引晶缓慢降籽晶到液面上方20mm左右，预热5min再降籽晶的细晶与硅接触观察液面和籽晶接触后的光圈情况：1.温度偏高，籽晶一接触液面，马上出现光圈，很亮很刺眼，籽晶棱边出角，液面与籽晶形成的光圈会发生不停的抖动，甚至熔断，无法提拉速。2.温度偏低，籽晶与液面接触后，不出现光圈，籽晶未被熔断，反而出现结晶向外长大现象3.温度合适，籽晶接触液面后，慢慢出现光圈，且光圈柔和圆滑。当温度适合时将籽晶的细晶部分容去，较粗部分和硅液面熔接，此时可以调整锅转0-2r\min，让其尽快的出现光圈，然后调整到工艺所要求的锅转6r\min,等光圈中的四条棱生长出来，并检查棱线是否对称均匀（不正常可以更换籽晶或再将籽晶深入一段），然后正常引晶，提拉速0.8—1.0mm\min因一段较粗的籽晶3—5mm，作为下一次使用，粗晶部分完成后进入缩颈，迅速手动操作盒旋转按钮提拉速1—6mm\min来转动，切忌粗晶到细晶突然变细或突然增大现象，要求“v”字形状，均匀光滑棱线饱满，缩颈目的是为了消除为错，容硅中位错的滑移面为（111）移动方向为（100），攀移面垂直于滑动面，在缩颈过程中，位错一边攀移，一边延伸到籽晶的表面而终止，从而获得无为错晶核，因此引晶要有足够的长度才能排除位错，在引细晶时温度偏高或偏低可以适当调节欧陆，但不宜过大，同时籽晶观察细晶的棱线生长，当能看到光圈中的棱线稍长时自然提拉速，当看不见自然收拉速，确定提拉速和降拉速之间时间为3—6秒，拉速控制在1—6mm\min，引晶初始时间至结束时间控制在45—60min之间，引晶的效果要求均匀修长，没有糖葫芦状，直径3-5mm，长度120—150mm，细劲上的棱线要对称突出坚挺连续，不要有时隐时现，一大一小的现象。要放肩时将拉速维持在5—5.5mm\min控制3—5秒后进行放肩（细晶不能越大越粗，应开始缩小时放）